[发明专利]对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法

权利要求书

1.一种确定NAND闪存器件的开始编程电压的方法，包括：

编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；

控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；

所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；

所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面；

所述控制器验证所述第一状态验证电压；

当所述第一状态验证电压被验证为通过时，所述控制器根据所述初始编程电压脉冲和所述后续编程电压脉冲来确定对所述预定页面的所述最低程序状态进行编程的开始编程电压；以及

所述控制器将所述开始编程电压存储在所述预定页面中。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述控制器验证所述预定页面的所述多个验证电平包括：

所述控制器验证所述多个验证电平中的验证电平；以及

当所述验证电平被验证为失败时，所述控制器降低所述验证电平以生成所述多个验证电平中的较低验证电平。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述控制器降低所述验证电平包括：

当所述验证电平被验证为失败时，所述控制器将所述验证电平减小固定量以生成所述较低验证电平。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述控制器验证所述预定页面的所述多个验证电平包括：

所述控制器验证所述预定页面的验证电平；并且

所述控制器确定所述后续编程电压脉冲的所述幅度包括：

当所述验证电平被验证为通过时，所述控制器根据所述验证电平和所述第一状态验证电压之间的差确定所述后续编程电压脉冲的所述幅度。

5.如权利要求4所述的方法，其中，当使用所述验证电平成功读取了所述预定页面的一个或多个存储单元时，所述验证电平被验证为通过。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

所述编程电压生成电路使用所述开始编程电压对所述NAND闪存的所述预定页面或另一预定页面的所述最低程序状态进行编程。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

所述控制器根据所述预定页面的所述多个验证电平的失败验证的数量调整何时验证较高状态验证电压。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述控制器调整何时验证所述较高状态验证电压包括：

所述控制器配置用于开始所述较高状态验证电压的验证的开始阶跃脉冲计数；以及

当所述验证电平被验证为失败时，所述控制器增加所述开始阶跃脉冲计数。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述预定页面具有8个程序状态。

10.一种NAND闪存器件，包括：

NAND闪存，包括预定页面和其他页面；

编程电压生成电路，耦合到所述NAND闪存并且被配置为将初始编程电压脉冲施加到所述预定页面；以及

控制器，耦合到所述NAND闪存和所述编程电压生成电路，并且被配置为验证所述预定页面的多个验证电平，并在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；

其中，所述编程电压生成电路还被配置为将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面，

其中，所述控制器还被配置为验证所述第一状态验证电压，在所述第一状态验证电压被验证为通过时，根据所述初始编程电压脉冲和所述后续编程电压脉冲来确定对所述预定页面的所述最低程序状态进行编程的开始编程电压，并将所述开始编程电压存储在所述预定页面中。