[发明专利]具有静态随机存取存储器的三维存储器件

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

第一半导体结构，所述第一半导体结构包括外围电路、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列、以及包括多个第一键合触点的第一键合层；

第二半导体结构，所述第二半导体结构包括3D NAND存储器串的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层；以及

在所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合触点与所述第二键合触点在所述键合界面处接触。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构包括：

衬底；

所述衬底上的所述外围电路；

在所述衬底上并且不与所述外围电路交叠的所述SRAM单元的阵列；以及

所述外围电路和所述SRAM单元的阵列上方的所述第一键合层。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述第二半导体结构包括：

所述第一键合层上方的所述第二键合层；

所述第二键合层上方的存储器叠层；

竖直延伸通过所述存储器叠层的所述3D NAND存储器串的阵列；以及

在所述3D NAND存储器串的阵列上方并与所述3D NAND存储器串的阵列接触的半导体层。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，还包括所述半导体层上方的焊盘引出互连层。

5.根据权利要求3或4所述的3D存储器件，其中，所述半导体层包括多晶硅或单晶硅中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第二半导体结构包括：

衬底；

所述衬底上方的存储器叠层；

竖直延伸通过所述存储器叠层的所述3D NAND存储器串的阵列；以及

所述存储器叠层和所述3D NAND存储器串的阵列上方的所述第二键合层。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构包括：

所述第二键合层上方的所述第一键合层；

所述第一键合层上方的所述外围电路；

在所述第一键合层上方并且不与所述外围电路交叠的所述SRAM单元的阵列；以及

在所述外围电路和所述SRAM单元的阵列上方并且与所述外围电路和所述SRAM单元的阵列接触的半导体层。

8.根据权利要求7所述的3D存储器件，还包括所述半导体层上方的焊盘引出互连层。

9.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述围电路和所述SRAM单元的阵列堆叠在彼此之上。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的3D存储器件，其中，每个SRAM单元包括多个晶体管。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一半导体结构包括竖直位于所述第一键合层和所述SRAM单元的阵列之间的第一互连层，并且所述第二半导体结构包括竖直位于所述第二键合层和所述3D NAND存储器串的阵列之间的第二互连层。

12.根据权利要求11所述的3D存储器件，其中，所述SRAM单元的阵列通过所述第一互连层和所述第二互连层以及所述第一键合触点和所述第二键合触点而电连接到所述3D NAND存储器串的阵列。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的3D存储器件，其中，所述3D存储器件封装于嵌入式多媒体卡(eMMC)或通用闪存储存器(UFS)中的至少一者中。