[实用新型]晶圆键合对准测量系统及晶圆承载台有效
| 申请号: | 201922467152.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN211320078U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
| 发明(设计)人: | 刘武 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
| 地址: | 430079 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆键合 对准 测量 系统 承载 | ||
本实用新型提供了一种晶圆键合对准测量系统及晶圆承载台。所述晶圆承载台包括框架和多个承载部,所述框架为环形且内径大于或等于所要承载的晶圆的直径,所述多个承载部分散地布置并凸出于所述框架的内缘。本实用新型的晶圆承载台中,承载部只是分散地布置在框架内缘,基本上不会遮挡穿过晶圆边缘的用于检测对准精度的光。因此晶圆键合对准测量系统可以更准确地获得晶圆对准精度。
技术领域
本实用新型主要涉及晶圆键合对准测量系统,尤其涉及一种晶圆键合对准测量系统中的晶圆承载台。
背景技术
在集成电路中,通过将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成,可以提高芯片的性能,同时也可以大幅度缩短芯片之间的金属互联,减小发热、功耗和延迟。
在集成电路工艺中,将两个以上晶圆上下键合在一起,使得各晶圆中包含的芯片互相连接。晶圆键合时的对准精度是键合良率的重要指标。在晶圆键合完成后,可直接测量晶圆键合的对准精度,从而反映键合产品良率。对准测量时,需要通过例如红外光检测各个晶圆在不同位置的测量点 (例如对准标记),从而分析晶圆的对准精度。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种晶圆键合对准测量系统及晶圆承载台,可以更准确地获得晶圆对准精度。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆承载台,包括框架和多个承载部,所述框架为环形且内径大于或等于所要承载的晶圆的直径,所述多个承载部分散地布置并凸出于所述框架的内缘。
在本实用新型的一实施例中,所述多个承载部从所述内缘凸伸的长度为6mm-7mm。
在本实用新型的一实施例中,所述承载部向所述框架的中心凸伸。
在本实用新型的一实施例中,所述内缘为圆形,且每一承载部在所述内缘上的圆心角在13-17°之间。
在本实用新型的一实施例中,所述承载部的数量为3-5个。
在本实用新型的一实施例中,所述多个承载部均匀分布在所述内缘。
在本实用新型的一实施例中,所述框架在轴向方向上凸出于所述承载部。
在本实用新型的一实施例中,所述承载部上设有若干供弹性垫插入的插孔。
本实用新型的另一方面提出一种晶圆键合对准测量系统,包括如上所述的晶圆承载台,所述晶圆承载台适于承载键合的多个晶圆;以及对准监测部件,布置在所述框架的轴向侧。其中所述晶圆承载台适于在水平面内移动以使得所述对准监测部件检测所述多个晶圆上的多个测量点,所述多个测量点包括位于所在晶圆的边缘的测量点,所述边缘靠近所述框架的内缘。
在本实用新型的一实施例中,所述测量点包括位于所在晶圆在圆周上的45°、135°、225°、315°方向的测量点。
与现有技术相比,本实用新型的晶圆承载台中,承载部只是分散地布置在框架内缘,因此基本上不会遮挡穿过晶圆边缘的用于检测对准精度的光。因此,相比常规的结构,本实用新型的晶圆承载台的测量点增多,对键合工艺监控能力更强。
附图说明
图1是一种晶圆承载台承载晶圆的示意图。
图2A是本实用新型一实施例的晶圆承载台的立体图。
图2B是本实用新型一实施例的晶圆承载台的俯视图。
图3是本实用新型一实施例的晶圆承载台承载晶圆的示意图。
图4是本实用新型一实施例的晶圆键合对准测量系统的局部结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





