[实用新型]高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

位于半导体衬底上的沟道层；

位于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层与所述沟道层形成异质结；

位于所述势垒上的源极电极和漏极电极；以及

位于所述势垒层上的栅叠层，所述栅叠层位于所述源极电极和所述漏极电极之间，

其中，所述栅叠层包括在所述势垒层上依次堆叠的P型半导体层、绝缘层和栅极金属。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：

位于所述势垒层上的第一介质层，其中，所述源极电极形成于所述第一介质层上，所述漏极电极形成于所述第一介质层上，所述P型半导体层位于所述势垒层与所述第一介质层之间。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极电极具有贯穿所述第一介质层靠近所述势垒层设置的源极底面、背离所述势垒层的源极顶面以及接触所述第一介质层的源极侧面，

所述漏极电极具有贯穿所述第一介质层靠近所述势垒层设置的漏极底面、背离所述势垒层的漏极顶面以及接触所述第一介质层的漏极侧面。

4.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：

位于所述第一介质层上的第二介质层，其部分覆盖所述源极电极和所述漏极电极及所述第一介质层的至少部分上表面，与所述绝缘层背离所述栅极金属的表面相接触。

5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，

所述第二介质层中间区域具有贯穿至所述P型半导体层的栅极接触孔，所述栅叠层覆盖所述栅极接触孔。

6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述绝缘层贴合于所述栅极接触孔侧壁和底部表面设置，底部与所述P型半导体层相接触，和/或所述绝缘层的顶部延伸至所述第二介质层上表面的部分区域。

7.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，形成的所述栅极接触孔的底面宽度小于所述P型半导体层的宽度。

8.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层靠近所述势垒层的表层形成有二维电子气。

9.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极金属顶部形成有凹槽。

10.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极金属顶部形成有凹槽，且所述凹槽的深度小于所述栅极接触孔的深度。

11.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管处于常闭状态，当施加到所述栅叠层的电压达到阈值电压时所述高电子迁移率晶体管进入开启状态。

12.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层为未掺杂的或非故意掺杂的氮化镓层，和/或所述势垒层为未掺杂的氮化铝镓层。

13.根据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述势垒层还包括单层或多层氮化铝层。

14.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述P型半导体层为P型氮化镓层。

15.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层对应所述P型半导体层垂直方向上的区域未形成所述二维电子气。

16.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1-20nm。

17.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管为增强型高电子迁移率晶体管。