[实用新型]焊盘结构和半导体器件

权利要求书

1.一种焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构包括：

底部金属层，包括若干分离的导电区；

中部金属层，形成于所述底部金属层上，所述中部金属层与所述底部金属层之间通过中间导电通孔连接；

顶部金属层，形成于所述中部金属层上，所述中部金属层与所述顶部金属层之间通过顶部导电通孔连接；

顶部绝缘层，设置于所述顶部金属层上，所述顶部绝缘层内开设有显露出所述顶部金属层的上表面焊盘开口；

介质层，所述介质层分别设置于所述底部金属层的各所述导电区之间的间隙、所述顶部金属层与中部金属层之间的间隙、所述中部金属层与所述底部金属层之间的间隙中；

其中，所述顶部金属层的面积分别大于所述中部金属层的面积和所述底部金属层的面积，所述焊盘开口于所述中部金属层所在平面上的投影包围所述中部金属层。

2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述底部金属层包括至少一层子底部金属层，每层所述子底部金属层包括若干分离的子导电区；当所述底部金属层包括两层或两层以上的底部金属层时，相邻两层所述子底部金属层中对应位置的所述子导电区之间通过第一导电通孔连接。

3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中部金属层包括至少一层子中部金属层，所述子中部金属层包括若干分离的导电区，所述底部金属层的导电区和所述中部金属层的导电区相对应。

4.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述底部金属层的面积小于所述中部金属层的面积。

5.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中间导电通孔、顶部导电通孔的间距大于或等于各导电通孔的孔径的二倍。

6.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述底部金属层的若干所述导电区设置于所述中部金属层的边缘。

7.根据权利要求6所述的焊盘结构，其特征在于，所述中部金属层包括四方形金属层，所述四方形金属层的四个顶点落在所述焊盘开口于所述中部金属层所在平面上的投影的边线上。

8.根据权利要求7所述的焊盘结构，其特征在于，所述底部金属层包括四个所述导电区，四个所述导电区分别位于所述中部金属层的四个顶角位置。

9.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中部金属层至少包括两层子中部金属层，相邻两个所述子中部金属层之间通过第二导电通孔连接。

10.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述顶部金属层至少包括两层子顶部金属层，相邻的两所述子顶部金属层之间通过第三导电通孔连接。

11.根据权利要求10所述的焊盘结构，其特征在于，所述第三导电通孔于所述中部金属层所在平面上的投影位于所述中部金属层的外侧。

12.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述中间导电通孔的位置与所述底部金属层的导电区的位置相对应。

13.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述顶部绝缘层包括，顶部钝化层，以及位于所述顶部钝化层与所述顶部金属层之间的顶部介质层；所述焊盘开口贯穿所述顶部钝化层和所述顶部介质层。

14.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述顶部金属层包括八边形、四边形或圆形；所述焊盘开口包括八边形、四方形或圆形；所述中部金属层包括八边形、四方形或圆形。

15.根据权利要求1-14中任意一项所述的焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构还包括半导体基板，所述半导体基板的靠近所述底部金属层的表面形成有一掺杂区域，该掺杂区域作为浮置阱层，且所述浮置阱层与所述底部金属层之间通过所述介质层隔离。