[实用新型]带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201922450345.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN210956684U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 贺洁;王书昶;张雄;黄飞明;励晔 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 肖特基结型场板 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，包括衬底（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、源极金属（4）、漏极金属（5）、第一钝化层（61）、第二钝化层（62）、P型栅极（7）、栅极金属（8）与肖特基结型场板（9）；其特征是：
在衬底（1）的上表面固定有缓冲层（2），在缓冲层（2）的上表面固定有势垒层（3），在势垒层（3）的上表面固定有源极金属（4）、第一钝化层（61）、P型栅极（7）、肖特基结型场板（9）、第二钝化层（62）与漏极金属（5），源极金属（4）的右端面与第一钝化层（61）的左端面相接，第一钝化层（61）的右端部分延伸到P型栅极（7）的上方，P型栅极（7）的右端面与肖特基结型场板（9）的左端面相接，肖特基结型场板（9）的右端部分延伸到第二钝化层（62）的上方，第二钝化层（62）的右端面与漏极金属（5）的左端面相接；
在延伸到P型栅极（7）上方的第一钝化层（61）上开设有连通孔，在连通孔内以及P型栅极（7）上方的第一钝化层（61）的上表面设有栅极金属（8），且栅极金属（8）和肖特基结型场板（9）采用同一种金属制作。
2.根据权利要求1所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，其特征是：所述源极金属（4）的厚度大于第一钝化层（61）的厚度。
3.根据权利要求1所述的带有肖特基结型场板的高电子迁移率晶体管，其特征是：所述漏极金属（5）的厚度大于第二钝化层（62）的厚度。
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