[实用新型]一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构有效
| 申请号: | 201922413887.8 | 申请日: | 2019-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN212223095U | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 黄翀;范杰 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/46;C23C16/458 |
| 代理公司: | 武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙) 42235 | 代理人: | 李恭渝 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mpcvd 设备 基板台 冷却管 定位 结构 | ||
本实用新型公开了一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构,包括基板台、支撑台,基板台设于支撑台上,支撑台内设有传输冷却液的冷却管,所述冷却管上设有中心定位件,中心定位件用于冷却管定位于基板台底部正中心位置,中心定位件包括定位套,定位套上设有用于冷却管定位的第一管孔,定位套安装于支撑台底部,定位套上设有通水孔,还包括支撑台连接件,支撑台连接件为中空结构,定位套套接于支撑台连接件上端,支撑台连接件连接于支撑台底部。通过中心定位件保证冷却管处于基板台底部正中心位置,实现冷却液均匀喷淋覆盖在支撑台内部的上端面,基板台与支撑台紧密贴合安装,进而实现基板台冷却均匀,有利于MPCVD设备基板台上样品的金刚石膜沉积。
技术领域
本实用新型涉及金刚石制造领域,特别涉及一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构。
背景技术
金刚石具有极高的硬度、热导率、绝缘性、光透过率,以及耐酸耐热、耐辐射等优异的物理、化学性能,可以广泛地应用于刀具、涂层、光学窗口、半导体、电子器件等领域。
微波等离子体化学气相沉积法是目前国际上被用于高品质金刚石膜制备的首选方法。目前许多国家都在发展MPCVD技术,并开发出多种MPCVD设备。
MPCVD设备是将微波发生器产生的微波经波导传输系统进入反应器,并通入甲烷与氢气的混合气体,在微波的激励下,在反应室内产生辉光放电,使反应气体的分子离化,产生等离子体,在基板台上沉积得到金刚石膜。
基板台温度均匀性对金刚石膜的沉积有较大影响,基板台温度均匀时,有利于得到质量较高的金刚石膜。
目前基板台的冷却结构为通过一根冷却管输送冷却液,冷却管通常通过螺纹固定,如果冷却管直线度不好或者螺纹连接处存在较大间隙,冷却管与基板台无法保证同轴,导致冷却液无法喷在基板台底部正中心,冷却液无法均匀覆盖基板台底部,无法实现基板台的均匀冷却。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的缺点,提供一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构,结构简单,实用性强,通过对冷却管定位,使冷却管位于基板台底部中心,实现基板台的均匀冷却。
本实用新型的一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构,包括基板台、支撑台,所述基板台设于支撑台上,所述支撑台内设有传输冷却液的冷却管,所述冷却管上设有中心定位件,所述中心定位件用于冷却管定位于基板台底部正中心位置。
进一步地,所述中心定位件包括定位套,所述定位套上设有用于冷却管定位的第一管孔,所述定位套安装于支撑台底部,所述定位套上设有通水孔。
进一步地,还包括支撑台连接件,所述支撑台连接件为中空结构,所述定位套套接于支撑台连接件上端,所述支撑台连接件连接于支撑台底部。
进一步地,所述支撑台连接件的上端及中部为中空结构,底部为封闭结构,所述支撑台连接件的底部设有用于冷却管穿过的第二管孔,所述支撑台连接件侧壁上安装有冷却液排出管接头,所述冷却液排出管接头与中空结构连通。
进一步地,所述定位套为设有定位环的圆形回转体,所述定位环上设有用于调节冷却管的位置的螺纹通孔,所述螺纹通孔内安装有螺钉。
进一步地,所述螺纹通孔为多个。
进一步地,所述通水孔为多个,环形均布设置于定位套上。
进一步地,所述通水孔为八个。
进一步地,所述支撑台连接件和支撑台通过螺纹结构或紧固件连接。
进一步地,所述支撑台连接件与支撑台之间安装有密封件
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





