[实用新型]集成芯片、全彩集成芯片和显示面板

权利要求书

1.一种集成芯片，其特征在于，包括：

发光部(100)，所述发光部(100)包括发光层(10)和电极结构(20)，所述电极结构(20)与所述发光层(10)电连接；

引脚部(400)，所述引脚部(400)设置于所述电极结构(20)的下方，并与所述电极结构(20)电连接；所述引脚部(400)包括N层依次叠置的金属线路层和绝缘保护层，其中，所述电极结构(20)和与其相邻的一层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，以及相邻的两层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，所述绝缘保护层上开设有用于导体经过的金属过孔，N层所述金属线路层通过所述导体电连接，其中，N≥2。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述发光层(10)包括呈矩阵分布的n×m个发光单元组(11)，其中，n为行数，m为列数，且n和m均为大于或等于1的正整数，所述发光单元组(11)包括呈矩阵分布的x×y个发光基元，其中，x为行数，y为列数，且x和y均为大于或等于1的正整数；所述电极结构(20)包括与多个所述发光基元一一对应电连接的电极组，各所述电极组包括a极电极和b极电极，同一列所述发光单元组(11)的同一列所述发光基元的a极电极分别电连接在一起，形成m×y个第一电极；同一行所述发光单元组(11)的同一行所述发光基元的b极电极分别电连接，形成n×x个第二电极。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述引脚部(400)在第N层所述金属线路层处形成第一引脚电极和第二引脚电极，其中，所述第一引脚电极为与多个所述第一电极一一对应连接的m×y个，所述第二引脚电极为与多个所述第二电极一一对应的n×x个。

4.根据权利要求2或3所述的集成芯片，其特征在于，N＝2，m＝2，n＝2，x＝3，y＝1。

5.根据权利要求3所述的集成芯片，其特征在于，与第N层所述金属线路层接触的所述绝缘保护层上设置有用于识别所述第一引脚电极或所述第二引脚电极的极性的识别标记。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，第N层所述金属线路层上远离所述绝缘保护层的一侧设有绝缘层，所述绝缘层覆盖第N层所述金属线路层上的金属走线和金属过孔。

7.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述集成芯片还包括多个光处理部(200)，多个所述光处理部(200)沿所述集成芯片的发光面(204)以矩阵的形式分布在所述发光部(100)上，并位于所述发光层(10)的上方，且多个所述光处理部(200)与多个所述发光基元一一对应设置，所述发光部(100)还包括由上至下层叠设置在所述发光层(10)下方的P-GaN层(30)和金属接触层(40)，所述电极结构(20)包括正极(21)和负极(22)，其中，所述负极(22)与所述发光基元电连接，所述正极(21)通过所述金属接触层(40)和所述P-GaN层(30)与所述发光基元电连接。

8.根据权利要求7所述的集成芯片，其特征在于，

所述发光部(100)还包括n-GaN层(50)、缓冲层(60)和第一钝化层(70)，所述n-GaN层(50)、所述缓冲层(60)和所述第一钝化层(70)由下至上依次层叠设置在所述发光层(10)和所述光处理部(200)之间；

所述发光部(100)还包括DBR反射层(80)和第二钝化层(90)，其中，所述DBR反射层(80)覆盖在所述缓冲层(60)、所述n-GaN层(50)和所述电极结构(20)的外周侧以及所述金属接触层(40)的底部，所述第二钝化层(90)覆盖在所述DBR反射层(80)的外周侧和底部，所述第二钝化层(90)为一层所述绝缘保护层。