[实用新型]一种检测超大尺寸硅片冷却结构有效
| 申请号: | 201922266599.4 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN211927726U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 王冬雪;郭俊文;孙小杰;郭成钢;黄磊;高国亮;李建弘 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/892 | 分类号: | G01N21/892 |
| 代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
| 地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 检测 超大 尺寸 硅片 冷却 结构 | ||
本实用新型提供一种检测超大尺寸硅片冷却结构,包括用于传送硅片且与所述硅片平行设置的运输架、置于所述运输架上方且被所述运输架贯穿设置的罩体以及设置在所述硅片入口处且位于所述罩体顶部一侧的冷却装置,所述冷却装置开口朝所述硅片上端面设置;所述冷却装置开口相对于所述硅片平面沿所述硅片移动方向倾斜设置,所述冷却装置开口与所述硅片平面的夹角为锐角。本实用新型设计的冷却结构,可降低硅片表面的温度,降低AOI设备的误判,提高工作效率,降低生产成本。
技术领域
本实用新型属于直拉硅单晶炉所用配件技术领域,尤其是涉及一种检测超大尺寸硅片冷却结构。
背景技术
目前超大尺寸硅片加工已成为光伏后续发展趋势。但硅片尺寸变大以后在自动化产线加工中,硅片表面热量难以在较短时间内冷却,过检硅片温度在28℃以上过检AOI设备时,存在AOI误判(TTV、Warp、电阻率异常等)情况;需对硅片进行复测,复测严重影响工时。
实用新型内容
本实用新型提供一种检测超大尺寸硅片冷却结构,解决了现有技术中因硅片表面热量难以在较短时间内冷却而导致的AOI设备误判的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:
一种检测超大尺寸硅片冷却结构,包括用于传送硅片且与所述硅片平行设置的运输架、置于所述运输架上方且被所述运输架贯穿设置的罩体以及设置在所述硅片入口处且位于所述罩体顶部一侧的冷却装置,所述冷却装置开口朝所述硅片上端面设置;所述冷却装置开口相对于所述硅片平面沿所述硅片移动方向倾斜设置,所述冷却装置开口与所述硅片平面的夹角为锐角。
进一步的,所述冷却装置开口与所述硅片平面的夹角为30-75°;优选地,所述冷却装置开口与所述硅片平面的夹角为60°。
进一步的,所述冷却装置包括固定架和吹气管,所述固定架一侧端面固定在所述罩体端口侧面,另一侧端面与所述吹气管侧壁固定;所述吹气管上端面设有进气口,所述吹气管下端面设有若干排气口。
进一步的,所述固定架为Z字型结构,所述固定架靠近所述罩体一侧为朝上设置的直角板,所述固定架远离所述罩体一侧为斜向下设置的斜板,所述斜板朝远离所述直角板一侧的方向设置。
进一步的,所述斜板倾斜角度与所述冷却装置开口与所述硅片平面的夹角相同。
进一步的,所述斜板宽度大于所述吹气管最大宽度。
进一步的,所述吹气管下端面距离所述运输架上端面的距离大于所述罩体顶部距离所述运输架上端面距离的1/2,且小于所述罩体顶部距离所述运输架上端面距离的4/5。
进一步的,所述吹气管为扁平状结构,所述吹气管靠近所述进气口一侧的宽度小于所述吹气管靠近所述排气口一侧的宽度;所述吹气管厚度相同。
进一步的,在所述吹气管内部设有均流板,所述均流板距离所述进气口的距离大于所述均流板距离所述排气口的距离。
进一步的,所述排气口包括若干排气孔,所述排气孔对称设置在所述排气口处。
采用本实用新型设计的冷却结构,可降低硅片表面的温度,降低AOI设备的误判,提高工作效率,降低生产成本。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的一种检测超大尺寸硅片冷却结构的结构示意图;
图2是本实用新型一实施例的一种检测超大尺寸硅片冷却结构的侧视图;
图3是本实用新型一实施例的固定架的结构示意图;
图4是本实用新型一实施例的吹气管的结构示意图;
图5是本实用新型一实施例的吹气管的剖视图;
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