[实用新型]一种半导体器件结构及电子产品

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括，第一半导体层，所述第一半导体层下表面设置有覆盖所述第一半导体层的第一半导体金属层，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二半导体层，所述第二半导体层上表面设置有覆盖所述第二半导体层的第二半导体金属层，所述第二半导体金属层上表面平行覆盖设置在所述第一半导体金属层下表面。

2.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第二半导体金属层的厚度大于所述第一半导体金属层的厚度。

3.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第二半导体金属层通过粘合或键合方式与所述第一半导体金属层结合。

4.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一半导体金属层包括第一金属层，第二金属层和第三金属层，所述第一金属层，第二金属层和第三金属层依次从上往下相互平行层叠排列且厚度依次增大。

5.如权利要求4所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一金属层材料为金属钛，第二金属层材料为金属镍，所述第三金属层材料为金属银。

6.如权利要求5所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第二半导体金属层包括第四金属层，第五金属层和第六金属层，所述第四金属层，第五金属层和第六金属层依次从下往上相互平行层叠排列且厚度依次增大。

7.如权利要求6所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第四金属层材料为金属钛，第五金属层材料为金属镍，所述第六金属层材料为金属银。

8.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层都为硅半导体层。

9.如权利要求1所述的一种半导体器件结构，其特征在于，所述第一半导体层小于所述第二半导体层都的厚度。

10.一种电子产品，包括如权利要求1至9所述的任一项半导体器件结构。