[实用新型]一种存储控制系统及星载实时处理系统

权利要求书

1.一种存储控制系统，其特征在于：包括相互电连接的FPGA模组、ARM模组、DDR模组以及NAND Flash模组，其中，

FPGA模组，用于数据采集、指令解析、数据存储，包括用于光纤通路数据接收发送的数据接收发送模块、用于DDR模组乒乓操作的DDR控制模块、用于NAND Flash模组阵列数据写入的FLASH读写控制模块、用于与ARM模组的控制信息交互的ARM通信模块以及用于与外部通信并发送和接收相关控制信息的UART通信模块，并通过GPMC接口与所述ARM模组连接；

ARM模组，用于对NAND Flash数据进行文件管理、收集坏块信息以及指令解析、存储管理操作和数据管理，包括用于均衡磨损的均衡磨损控制模块、用于存储介质坏块管理的存储介质坏块管理模块以及用于文件管理的文件管理模块；

DDR模组，包括高速数据存储空间和用于数据写入、读出、删除操作的文件系统信息数据缓存空间；

NAND Flash模组，作为数据存储载体，用于高速存储系统数据。

2.根据权利要求1所述的一种存储控制系统，其特征在于，所述存储控制系统还包括：

接口模组，用于连接所述存储控制系统的各个组成模组，包括至少两组用于系统内部总线互联的airborne接插件、至少一组用于实现低速信号的矩形连接器、至少两个用于光纤通信的SFP+接口、至少一个用于光纤通信的JYS接口以及至少两个用于通讯的SpaceWire接口；

电源模组，用于为所述存储控制系统提供电源。

3.根据权利要求2所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述电源模组为+12V的外部直流，经DC-DC降压后给所述NAND Flash模组、FPGA模组及其控制模组电路供电。

4.根据权利要求3所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述NAND Flash模组为并行扩展的流水架构。

5.根据权利要求4所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述NAND Flash模组包括若干个容量不小于16Gb的单颗NAND Flash芯片。

6.根据权利要求2所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述矩形连接器为51芯矩形连接器。

7.根据权利要求1所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述DDR模组包括文件信息表缓存区、坏块信息缓存区、数据记录时数据缓存区以及数据导出时数据缓存区，分别对文件信息、坏块信息、记录时数据以及导出时数据进行缓存。

8.根据权利要求2所述的一种存储控制系统，其特征在于：

所述FPGA模组内部设计有用于缓存所述接口模组输入输出数据的前端BRAM，用于缓存所述NAND Flash模组写入读出数据的后端BRAM；

数据记录时，数据从所述接口模组输入，依次缓存至前端BRAM和后端BRAM，最后从后端BRAM读出，写入到所述NAND Flash模组；

数据导出时，数据从NAND Flash模组读出，依次缓存至后端BRAM、DDR模组、前端BRAM，最后从前端BRAM读出，通过所述接口模组对外发送。

9.根据权利要求1所述的一种存储控制系统，其特征在于：所述DDR模组乒乓操作包括所述光纤通路数据写入DDR乒乓以及所述FLASH读写控制模块读出DDR乒乓。

10.一种星载实时处理系统，其特征在于：包括如权利要求1-9任一项所述的一种存储控制系统。