[实用新型]一种退火设备有效
| 申请号: | 201922169795.X | 申请日: | 2019-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN210692564U | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 陈瑶 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 退火 设备 | ||
1.一种退火设备,其特征在于,包括:
退火腔室(1),用于放置硅片组(100),所述硅片组(100)包括叠垛的多个待退火硅片;
冷却机构(3),其包括设置于所述退火腔室(1)内的恒温箱(31),所述恒温箱(31)的四周壁为中空结构,所述恒温箱(31)的四周壁内盛放有冷却液,所述硅片组(100)位于所述恒温箱(31)内;
电极机构(2),其包括分别设置于所述退火腔室(1)内顶面的上电极板(21)和位于所述恒温箱(31)内底面的下电极板(22),所述上电极板(21)能够与所述硅片组(100)中位于最上层的所述待退火硅片的表面相抵接,所述下电极板(22)能够与所述硅片组(100)中位于最下层的所述待退火硅片的表面相抵接。
2.根据权利要求1所述的退火设备,其特征在于,所述冷却机构(3)还包括恒温泵,所述恒温泵的出口与所述恒温箱(31)的进口相连通,所述恒温泵的进口与所述恒温箱(31)的出口相连通。
3.根据权利要求1所述的退火设备,其特征在于,所述冷却机构(3)还包括设置于所述退火腔室(1)上部的抽风组件。
4.根据权利要求1所述的退火设备,其特征在于,所述退火设备还包括硅片放置架(4),所述硅片放置架(4)设置于所述退火腔室(1)内,用于承载所述硅片组(100)。
5.根据权利要求4所述的退火设备,其特征在于,所述硅片放置架(4)包括:
容纳框(41);
第一导电板(42),其设置于所述容纳框(41)内,所述硅片组(100)放置于所述第一导电板(42)上,所述第一导电板(42)的下表面能与所述下电极板(22)相抵接。
6.根据权利要求5所述的退火设备,其特征在于,所述硅片放置架(4)还包括多个限位支架(43),多个所述限位支架(43)沿所述容纳框(41)的周向间隔设置,所述硅片组(100)容纳于多个所述限位支架(43)围设的容纳空间内。
7.根据权利要求4所述的退火设备,其特征在于,所述退火腔室(1)内还设置有传输组件(11),所述传输组件(11)用于带动所述硅片放置架(4)进出所述退火腔室(1)。
8.根据权利要求1-7任一项所述的退火设备,其特征在于,所述硅片组(100)的上表面还设置有第二导电板,所述第二导电板的上表面能与所述上电极板(21)相抵接。
9.根据权利要求1-7任一项所述的退火设备,其特征在于,所述退火设备还包括高度调节机构(5),所述高度调节机构(5)用于调节所述上电极板(21)和所述下电极板(22)之间的距离,以使所述硅片组(100)被夹持于所述上电极板(21)和所述下电极板(22)之间。
10.根据权利要求9所述的退火设备,其特征在于,所述高度调节机构(5)包括:
上调节组件(51),其用于驱动所述上电极板(21)升降;和/或
下调节组件(52),其用于驱动所述下电极板(22)升降。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





