[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

支撑层，包括焊盘区域；所述焊盘区域内的所述支撑层具有若干个凹槽；

焊垫，位于所述支撑层上，且至少位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为单层结构，所述支撑层包括介质层或聚合物层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于所述支撑层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层，所述第一材料层内形成有初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于等于所述第一材料层的厚度；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面、所述初始凹槽的侧壁及所述初始凹槽的底部；所述第二材料层的厚度小于所述初始凹槽的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：

第一材料层；

第二材料层，位于所述第一材料层的上表面，所述第二材料层内具有若干个所述凹槽，所述凹槽的深度小于等于所述第二材料层的厚度。

6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料层为介质层且所述第二材料层为聚合物层。

7.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一材料层为聚合物层且所述第二材料层为介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：基底，所述基底内具有集成电路结构；

钝化层，位于所述基底的上表面；所述支撑层位于所述钝化层的上表面；

重布线层，位于所述支撑层上，且与所述集成电路及所述焊垫相连接；

种子层，位于所述支撑层与所述焊垫之间、所述重布线层与所述支撑层之间及所述重布线层与所述集成电路结构之间；

保护层，位于所述支撑层的上表面，且覆盖所述重布线层及所述焊垫；所述保护层内形成有开口，所述开口暴露出所述焊垫；

焊线，一端位于所述开口内，且与所述焊垫相连接。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述焊线的底部与所述凹槽的底部具有间距。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述开口的下部的所述保护层内具有缺口，以使得所述开口下部的宽度大于所述开口上部的宽度。