[实用新型]封装结构及其半导体器件

说明书

公开了一种封装结构及其半导体器件，该封装结构包括：基座，用于支撑所述封装结构；支撑件，设置在所述基座的一侧并连接到所述基座；层叠体，设置在所述支撑件的远离所述基座的一侧，并且包括相互平行的多个芯片和多个间隔件；连接件，设置在层叠体的远离所述支撑件的一侧，并且与所述层叠体连接以将所述层叠体与外部电连接。本实施例的半导体封装结构可以实现稳定的浪涌能力，承受现场使用期间的典型环境应力，从而实现对户外通讯设备电源端的大功率雷击浪涌保护。

技术领域

本公开涉及一种封装结构，且具体地说，涉及一种具有该封装结构的半导体器件。

背景技术

在此提供的背景描述是为了总体上呈现本公开的背景。在本背景技术部分描述的程度上，当前署名的发明人的工作以及在提交时可能不构成现有技术的描述的各方面，既不明示地也不暗示地被认为是针对本公开的现有技术。

瞬态抑制(Transient Voltage Suppressor，TVS)二极管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有相当高的浪涌吸收能力。当TVS二极管两端经受瞬间的高能量冲击时，工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许一个瞬间大电流通过，把两端电压钳制在一个预定的数值，即将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电路中的电子元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击以免受损坏。但是随着长时间使用，TVS二极管的电学性能急剧下降。

发明内容

因此，亟待一种高性能的半导体器件，以解决上述现有技术中的不足。

本公开提供了一种半导体封装结构，可以实现更加稳定的浪涌能力并实现对电子元件更好的保护。

在本公开的一个实施例中封装结构包括：基座，用于支撑所述封装结构；支撑件，设置在所述基座的一侧并连接到所述基座；层叠体，设置在所述支撑件的远离所述基座的一侧，并且包括相互平行的多个芯片和多个间隔件；连接件，设置在层叠体的远离所述支撑件的一侧，并且与所述层叠体连接以将所述层叠体与外部电连接。

在本公开的一个实施例中，所述多个芯片和所述多个间隔件以层状结构交替设置，所述多个芯片的每个包括第一表面和第二表面，所述多个间隔件的每个包括第一表面和第二表面，所述芯片的第一表面与所述间隔件的第二表面接触，所述芯片的第二表面与所述间隔件的第一表面接触。

在本公开的一个实施例中，所述芯片具有PNP结构并包括高掺杂晶粒衬底。

在本公开的一个实施例中，所述衬底的掺杂浓度在1E+17至3E+17/CM³范围内。

在本公开的一个实施例中，所述层叠体包括以层状结构交替设置的四层芯片和五层间隔件。

在本公开的一个实施例中，所述多层芯片与所述基座平行设置，所述芯片在基座的表面的正投影的面积大于所述间隔件在基座的所述表面的正投影的面积。

在本公开的一个实施例中，所述支撑件和所述间隔件均为片状的金属材料，所述支撑件的厚度大于所述间隔件的厚度。

在本公开的一个实施例中，所述支撑件的金属强度值大于所述间隔件的金属强度值。

在本公开的一个实施例中，所述封装结构还包括散热件，所述散热件设置在基座的远离所述层叠体的一侧，并且与所述基座连接，所述散热件为片状材料。

在本公开的一个实施例中，所述连接件与层叠体中的远离基座一侧的间隔件连接，且所述连接件中的与所述间隔件连接的部分呈片状并且平行于所述间隔件。

在本公开的一个实施例中，提供了一种包括上述封装结构的半导体器件。

本实施例的半导体封装结构可以实现稳定的浪涌能力，承受现场使用期间的典型环境应力，从而实现对户外通讯设备电源端的大功率雷击浪涌保护。