[实用新型]半导体结构及电子装置有效
| 申请号: | 201922100237.8 | 申请日: | 2019-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN210640237U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
| 发明(设计)人: | 庄凌艺 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;孙宝海 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 结构 电子 装置 | ||
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
芯片,具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面,所述第一表面为所述芯片的功能面,所述第二表面呈非平面状结构,以使所述第二表面的表面积大于所述第一表面的表面积;以及
绝缘层,形成并包覆于所述芯片的第二表面和侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述芯片的第二表面具有经由粗糙化处理形成的粗糙结构,所述粗糙结构在所述芯片的第二表面的至少部分区域形成粗糙表面,以使所述芯片第二表面的表面积大于其第一表面的表面积。
3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述粗糙表面的表面粗糙度大于0.5μm;和/或,所述粗糙结构形成于所述芯片的第二表面的全部区域,使所述第二表面整体呈粗糙表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述芯片的第二表面具有凹陷结构、凸起结构、褶皱状结构、波纹状结构的至少其中之一,以使所述第二表面的表面积大于所述第一表面的表面积。
5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成;或者,所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。
6.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:
电磁屏蔽罩,包覆于所述芯片的第二表面和侧面,并位于所述绝缘层的相对于所述芯片的外侧。
7.根据权利要求6所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括基板和底部填充层,所述芯片以其第一表面固定于所述基板,所述底部填充层填充于所述基板与所述芯片之间,并包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的未被所述芯片遮盖的部分区域;其中,所述电磁屏蔽罩还包覆于所述底部填充层的露出于所述基板与所述芯片之间的部分。
8.根据权利要求6所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:
基板,所述芯片以其第一表面固定于所述基板;以及
塑封层,包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分,所述塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧。
9.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,所述半导体结构还包括:
基板,所述芯片以其第一表面固定于所述基板;
多个凸点,设于所述芯片的第一表面上,并被配置为使所述芯片通过所述凸点电连接于所述基板;以及
底部填充层,填充于所述基板与所述芯片之间的未设置所述凸点的空间中,并包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的未被所述芯片遮盖的部分区域。
10.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括权利要求1~9任一项所述的半导体结构。
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