[实用新型]一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备

权利要求书

1.一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，包括第一混合搅拌外壳(1)、支撑架(2)、底座(3)、入口(4)、第一混合搅拌电机(5)、第一减速器(6)、转动轴(7)、混合搅拌桨叶(8)、第一漏管(9)和第一阀门(10)，第一混合搅拌外壳(1)内部设置有内腔，第一混合搅拌外壳(1)的底端设置有支撑架(2)，支撑架(2)的底端设置有底座(3)，入口(4)连通安装在第一混合搅拌外壳(1)上，第一混合搅拌电机(5)安装在第一混合搅拌外壳(1)顶端，第一减速器(6)安装在第一混合搅拌外壳(1)顶端，并且第一混合搅拌电机(5)的输出端与第一减速器(6)的输入端连接，转动轴(7)安装在第一混合搅拌外壳(1)内部，转动轴(7)上设置有混合搅拌桨叶(8)，转动轴(7)穿过第一混合搅拌外壳(1)顶端与第一减速器(6)的输出端连接，第一漏管(9)连通安装在第一混合搅拌外壳(1)底端，第一漏管(9)上安装有第一阀门(10)；其特征在于，还包括第二混合搅拌外壳(11)、第二混合搅拌电机(12)、第二减速器(13)、混合搅拌桨(14)、出料口(15)和出料口阀门(16)，第二混合搅拌外壳(11)的内部设置有内腔，并且第二混合搅拌外壳(11)与第一漏管(9)连通，第二混合搅拌电机(12)安装在第二混合搅拌外壳(11)的左侧，第二减速器(13)安装在第二混合搅拌外壳(11)的左侧，第二混合搅拌电机(12)的输出端与第二减速器(13)的输入端连接，混合搅拌桨(14)安装在第二混合搅拌外壳(11)内部，并且混合搅拌桨(14)穿过第二混合搅拌外壳(11)的左侧与第二减速器(13)的输出端连接，出料口(15)连通安装在第二混合搅拌外壳(11)的右侧，出料口(15)上安装有出料口阀门(16)。

2.如权利要求1所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括喷洒管(22)，喷洒管(22)安装在第一混合搅拌外壳(1)内部。

3.如权利要求2所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括第二漏管(17)、第二漏管阀门(18)、蓄水箱(19)、抽水泵(20)和输送管道(21)，第二混合搅拌外壳(11)底端连通设置有第二漏管(17)，第二漏管(17)上安装有第二漏管阀门(18)，蓄水箱(19)内部设置有内腔，并且蓄水箱(19)连通安装在第二漏管(17)底端，抽水泵(20)安装在蓄水箱(19)的左侧，并且抽水泵(20)的软管穿过蓄水箱(19)的左侧与内部连接，输送管道(21)安装在抽水泵(20)的顶端，输送管道(21)与喷洒管(22)连通。

4.如权利要求3所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括水位计量器(23)，水位计量器(23)安装在蓄水箱(19)的右端。

5.如权利要求4所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括入口盖子(24)，入口盖子(24)盖装在入口(4)上。

6.如权利要求5所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括观察口(25)，观察口(25)安装在第一混合搅拌外壳(1)上，观察口(25)上设置有卡槽并且安装有玻璃板。

7.如权利要求6所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括观察口卡簧(26)，观察口卡簧(26)安装在观察口(25)的右端。

8.如权利要求7所述的一种半导体光刻工艺中的晶元匀胶设备，其特征在于，还包括整体内部喷有防腐蚀表层。