[实用新型]一种场致发射X射线源的驱动控制电路、装置及系统有效
| 申请号: | 201921984045.1 | 申请日: | 2019-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN210536608U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 梁栋;李智景;石伟;洪序达;郑海荣 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0185;G01N23/046;H01J35/02 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李木燕 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发射 射线 驱动 控制电路 装置 系统 | ||
1.一种场致发射X射线源的驱动控制电路,所述驱动控制电路连接高压直流电源,所述高压直流电源连接X射线源,其特征在于,所述驱动控制电路包括:
栅极驱动电路,用于接入优化脉冲信号,并根据所述优化脉冲信号相应输出正向偏压或者反向偏压;
推挽电路,与所述栅极驱动电路连接,所述推挽电路用于传输所述正向偏压或所述反向偏压,并增强驱动能力;以及
多个相互串联的MOS管,多个所述MOS管分别与所述推挽电路连接,多个所述MOS管用于根据所述正向偏压进行同时导通,以使所述X射线源在所述高压直流电源的电场作用下产生X射线,多个所述MOS管还用于根据所述反向偏压进行同时关断。
2.如权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,还包括:
多个均压电阻,分别并联于多个所述MOS管的漏极和源极之间,多个所述均压电阻的阻值相同,用于平衡多个所述MOS管接收到的所述正向偏压和所述反向偏压。
3.如权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,还包括:
多个缓冲电路,分别并联于多个所述MOS管的漏极和源极之间,多个所述缓冲电路用于吸收相应的所述MOS管导通时产生的尖峰电压和关断时产生的过冲电压。
4.如权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,所述栅极驱动电路包括:
多个MOS管驱动器,多个所述MOS管驱动器相互串联,并分别与所述推挽电路连接;所述优化脉冲信号处于高电平状态时,多个所述MOS管驱动器同时输出所述正向偏压,所述优化脉冲信号处于低电平状态时,多个所述MOS管驱动器同时输出所述反向偏压。
5.如权利要求4所述的驱动控制电路,其特征在于,所述推挽电路包括:
多个推挽子电路,多个所述推挽子电路分别与多个所述MOS管驱动器以及多个所述MOS管对应连接,以将所述正向偏压或者所述反向偏压传输至相应的所述MOS管的栅极,并增强驱动能力。
6.如权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,还包括:
多个栅极电阻,多个所述栅极电阻分别与多个所述MOS管的栅极串联,多个所述栅极电阻的阻值、型号以及生产批次均相同。
7.如权利要求3所述的驱动控制电路,其特征在于,每个所述缓冲电路均包括:
电阻、快速二极管以及电容;
所述电容的第一端连接相应的所述MOS管的漏极,所述电容的第二端、所述快速二极管的阳极以及所述电阻的第一端共接,所述快速二极管的阴极、所述电阻的第二端以及相应的所述MOS管的源极共接。
8.一种场致发射X射线源的驱动控制装置,其特征在于,包括:
如权利要求1至7任一项所述的驱动控制电路;
用于输出原始脉冲信号的脉冲发生器;以及
与所述脉冲发生器以及所栅极驱动电路连接,用于对所述原始脉冲信号进行升压处理后,输出所述优化脉冲信号至所述栅极驱动电路的升压组件。
9.如权利要求8所述的驱动控制装置,其特征在于,所述脉冲发生器采用现场可编程门阵列实现。
10.一种场致发射X射线源的驱动控制系统,其特征在于,包括:
如权利要求8或9所述的驱动控制装置;和
所述高压直流电源,连接所述驱动控制电路,所述高压直流电源用于多个所述MOS管同时导通时进行工作,以在预设区域内产生电场,使得所述X射线源在所述高压直流电源的电场作用下产生X射线。
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