[实用新型]半导体加工腔室及设备

权利要求书

1.一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，其特征在于，还包括：

压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；

第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压力；

第二压力控制器，设置在所述第一腔室的排气侧，用于根据所述压力差值降低所述第一腔室的压力。

2.根据权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述压力测量器设置于所述第一腔室的排气管及所述第二腔室之间。

3.根据权利要求2所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述压力测量器包括压差计，所述压差计通过第一导气管与所述排气管连接，通过第二导气管与所述第二腔室连接。

4.根据权利要求3所述的半导体加工腔室，其特征在于，还包括阀门，所述阀门设置于所述第一导气管或所述第二导气管上。

5.根据权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述第一压力控制器为质量流量控制器，用于向所述第一腔室内通入气体，以增加所述第一腔室内的压力。

6.根据权利要求2所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述第二压力控制器包括泄压阀，所述泄压阀设置在所述排气管上，且位于所述压力测量器与所述排气管的连接点之后。

7.根据权利要求6所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述第二压力控制器还包括泄压管路，所述泄压管路的进气端连接在所述排气管上，所述泄压阀设置在所述泄压管路上。

8.根据权利要求1至7的任一所述的半导体加工腔室，其特征在于，还包括主控制器，所述主控制器与所述压力测量器、所述第一压力控制器及所述第二压力控制器电连接；所述主控制器用于根据所述压力差值控制所述第一压力控制器增加所述第一腔室内的压力，或者控制所述第二压力控制器降低所述第一腔室内的压力。

9.根据权利要求8所述的半导体加工腔室，其特征在于，

所述主控制器具体用于：

当所述压力差值小于等于第一预设阈值，则通过所述第一压力控制器增加进入所述第一腔室的气体流量，以增加所述第一腔室内的压力；

当所述压力差值大于等于第二预设阈值，则通过所述第二压力控制器对所述第一腔室进行排气，以降低所述第一腔室内的压力，并在所述压力差值降低至所述第一预设阈值时，关闭所述第二压力控制器；其中，

所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体加工腔室。