[实用新型]DC-DC移动电源的封装结构及电源电路系统有效

专利信息
申请号: 201921792067.8 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN211791278U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 宁志华;李伟 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: dc 移动 电源 封装 结构 电路 系统
【权利要求书】:

1.一种DC-DC移动电源的封装结构,包括封装框架,其特征在于,所述封装框架包括至少一个基岛,所述封装结构封装有PWM控制器、至少一个负载开关管以及第一高侧开关管。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管的数量不小于2个,所述至少一个负载开关管设置在所述封装框架的一侧,所述PWM控制器和所述第一高侧开关管设置在所述封装框架的另一侧。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管、所述PWM控制器和所述第一高侧开关管位于不同的基岛上。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管和所述PWM控制器位于同一基岛上,所述第一高侧开关管位于另一基岛上。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管和所述第一高侧开关管位于同一基岛上,所述PWM控制器位于另一基岛上。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述PWM控制器和所述第一高侧开关管位于同一基岛上,所述至少一个负载开关管位于另一基岛上。

7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管、所述PWM控制器和所述第一高侧开关管均位于同一基岛上。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构为QFN封装。

9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构为QFN封装,包括多个引脚,所述多个引脚包括:

第一类引脚,连接所述至少一个负载开关管;

第二类引脚,连接所述PWM控制器,以及

第三类引脚,用于PCB走线;

第四类引脚,连接所述第一高侧开关管。

10.根据权利要求3-6中任一项所述的封装结构,其特征在于,每个所述基岛至少连接2个具有支撑作用的引脚。

11.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装框架呈矩形,所述封装框架的四个对角具有支撑脚。

12.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构为QFN52,其中,与所述PWM控制器相连的引脚为26个,与所述至少一个负载开关管相连或与所述第一高侧开关管相连的引脚分别为3-5个。

13.根据权利要求4、6、7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述PWM控制器与其对应的基岛绝缘隔离。

14.根据权利要求3、4、6中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构的至少部分引脚与输出电流采样电阻电连接。

15.根据权利要求1-7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管的数量为1-5个。

16.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述QFN封装的封装类型包括QFN48、QFN40、QFN32、QFN52。

17.根据权利要求1-7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述至少一个负载开关管的漏极与其对应的基岛电连接。

18.根据权利要求1-7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述第一高侧开关管的漏极与其对应的基岛电连接。

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