[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201921701069.1 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN210668371U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括阵列区以及外围区；
第一栅极结构，位于所述阵列区的所述衬底中；
第二栅极结构，位于所述外围区的所述衬底上，所述第二栅极结构包括依次堆叠设置的高介电常数栅极介质层和金属栅极层；
电容结构，位于所述第一栅极结构上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括多晶硅栅极结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括金属栅极结构。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位线结构，所述位线结构位于相邻地所述第一栅极结构之间的所述衬底上。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述外围区及所述位线结构；
所述第一层间介质层中具有电容接触窗，所述电容结构通过所述电容接触窗连接所述第一栅极结构。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第三层间介质层，所述第三层间介质层位于所述第一层间介质层上；
所述第三层间介质层中具有电容凹槽，所述电容结构位于所述电容凹槽内及所述第三层间介质层的顶部表面。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属栅极层包括：
第一金属栅极层，位于所述高介电常数栅极介质层顶部表面；
第二金属栅极层，位于所述第一金属栅极层顶部表面；
其中，所述第二金属栅极层的电阻率小于所述第一金属栅极层的电阻率。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括依次堆叠设置的第一电极板、电容介质层和第二电极板。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构还包括导电层，所述导电层位于所述第二电极板的顶部表面。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述外围区及位于所述阵列区的所述电容结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
