[实用新型]一种占空比大于50%双管正激有源钳位电路

权利要求书

1.一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电容C3、整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、功率开关管Q1、功率开关管Q2、功率开关管Q3、功率开关管Q4、变压器T，电源正极输入端与电源负极输入端分别连接所述电容C1的两端，所述电源正极输入端还连接所述功率开关管Q1的电流输入端，所述功率开关管Q1的电流输出端连接所述变压器T的初级绕组一端，所述变压器T的初级绕组另一端分别连接所述整流二极管D2的阳极以及所述功率开关管Q3的电流输入端，所述变压器T的次级绕组连接到电源输出端，所述整流二极管D2的阴极串联所述电容C3后连接到所述电源负极输入端，所述功率开关管Q3的电流输出端连接所述电源负极输入端；所述功率开关管Q1的电流输出端还连接所述功率开关管Q2的电流输入端，所述功率开关管Q2的电流输出端串联所述电容C2后、连接到所述整流二极管D2与所述功率开关管Q3的公共节点；所述整流二极管D1的阳极连接电源负极输入端，所述整流二极管D1的阴极连接所述功率开关管Q1与所述功率开关管Q2的公共节点；所述整流二极管D2与所述电容C3的公共节点连接所述功率开关管Q4的电流输入端，所述功率开关管Q4的电流输出端连接所述整流二极管D3的阳极，所述整流二极管D3的阴极连接所述电容C1与所述功率开关管Q1的公共节点。

2.根据权利要求1所述一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，其特征在于，所述功率开关管Q1、所述功率开关管Q2、所述功率开关管Q3、所述功率开关管Q4均可使用MOSFET或IGBT中的任意一种。

3.根据权利要求1所述一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，其特征在于，还包括控制器，所述控制器包括多个输出接口，所述控制器的多个所述输出接口分别连接所述功率开关管Q1的控制端、所述功率开关管Q2 的控制端、所述功率开关管Q3的控制端、所述功率开关管Q4的控制端，用于控制所述功率开关管Q1、所述功率开关管Q2、所述功率开关管Q3、所述功率开关管Q4的通断。