[实用新型]一种Micro-LED芯片封装结构有效
| 申请号: | 201921577473.2 | 申请日: | 2019-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN212461694U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 章帅;琚晶;李起鸣 | 申请(专利权)人: | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200013 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型提供了一种Micro‑LED芯片封装结构,Micro‑LED芯片直接接触固定在电路板的非功能区表面,绑定线直接连接Micro‑LED芯片与电路板,缩小了封装结构的高度和体积,这种封装结构更加有利于轻薄化和微型化;而且,提高了Micro‑LED芯片封装结构的散热能力,延长了高功率Micro‑LED工作寿命。此外,本实用新型还进一步设计了柔性封装结构,在柔性电路板背面设置了增强片,不仅为芯片与柔性电路板的结合提供了良好的支撑强度和平坦的表面,提高了芯片与柔性电路板的结合能力,以及改善了芯片与柔性电路板结合界面。
技术领域
本实用新型涉及一种芯片封装技术领域,具体涉及一种Micro-LED芯片封装结构。
背景技术
随着技术的发展,LED芯片越来越趋向于微型化和集成化,Micro-LED随之诞生,受到人们的广泛关注。Micro-LED是集成了LED阵列外延片和IC电路衬底的微型LED芯片,这种新型LED芯片目前还缺乏良好的封装结构和封装工艺。而传统LED的封装结构的制备通常将单颗LED芯片一颗一颗的封装起来,然后,将每颗封装好的LED芯片一颗一颗固定在一块基板上,最后,将整块基板与电路板实现电连接,这样的方法在封装过程中需要对LED芯片一颗一颗的对准,工艺复杂且提高了工艺难度,最终得到的LED封装结构体积大,不利于微型化和轻薄化。显然,Micro-LED芯片也不能采用传统LED的封装结构和封装方式。
此外,传统封装结构中采用的电路板都是硬质电路板,然而随着技术的发展,硬质电路板大大制约了封装结构的使用范围,不利于技术的进步。因此,柔性电路板(FlexiblePrinted Circuit,FPC)以质量轻、厚度薄、可自由弯曲折叠等优良特性突破了传统的互连技术而备受青睐。芯片与柔性电路板封装时,由于柔性电路板的柔软可弯曲特性,导致芯片没有稳定的基底来进行封装,往往在封装之后,芯片与柔性电路板之间留有很多空气隙,这将导致芯片封装不牢固,产生易脱落等问题,从而导致整个封装结构失效。
此外,LED芯片产生的热量很大,然而芯片与柔性电路板之间会阻隔散热,导致热量聚集,降低最终能产品的使用寿命和性能。
实用新型内容
为了克服以上问题,本实用新型目的之一旨在提供一种适合于Micro-LED芯片的封装结构,从而简化封装结构,降低封装结构体积,使得封装结构轻薄化;本实用新型目的之二是提高芯片与柔性电路板的结合能力,提高封装结构的散热性能。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种Micro-LED芯片封装结构,包括:
一电路板;所述电路板具有非功能区和电路连接区,非功能区与电路连接区相邻;
一Micro-LED芯片,位于所述非功能区,且所述Micro-LED芯片的背面与所述电路板的正面接触固定;
一绑定线组,每根绑定线的一端与将Micro-LED芯片的引出极连接,另一端与所述电路板的电路连接区接触连接。
在一些实施例中,所述Micro-LED芯片背面与所述电路板之间粘合固定。
在一些实施例中,所述Micro-LED芯片包括:Micro-LED外延片以及位于LED外延片底部的IC电路衬底,每根绑定线的一端接触连接所述IC电路衬底的引出极,另一端接触连接所述电路板。
在一些实施例中,所述LED外延片具有间隔排列的LED像素阵列,所有LED像素阵列键合于所述IC电路衬底上。
在一些实施例中,IC电路衬底包括:
IC电路主区域,与所述Micro-LED外延片相键合;
外围连线,位于IC电路主区域且位于所述Micro-LED外延片底部的外围,外围连线上具有输出端;外围连线位于IC电路衬底的顶层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





