[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体发光叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的有源层，具有相反的上表面、下表面及连接上、下表面的侧面，其中上表面为出光面；反射层，形成于所述半导体发光叠层的下表面之上；其特征在于：还包括一透光层，形成于所述半导体发光叠层的上表面之上，并至少部分覆盖所述侧面，所述半导体发光叠层发射的光线经由该透光层向外射出，其出光角为135°以上。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，具体为一种发光二极管。

背景技术

面对各种各样的市场应用需求，可驱动更高电流密度的光源越来越受市场欢迎。以蓝宝石为衬底的水平结构发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED），由于衬底散热问题和电流拥挤效应，在高电流密度下操作极易过热导致芯片烧毁，因此难以适用于超高电流密度下。垂直结构LED的衬底可以置换成散热性和导热性良好的材料，减少电流拥挤效应，较广泛的应用于高电流密度（例如：≥2.5A/mm²）的光源。

例如，目前垂直式白光LED芯片大量使用于手电筒和投射灯光源，通过较高的电流密度以获得更高的流明密度。然而，越来越大的电流密度对封装提出散热挑战，外量子效率随电流密度增大而降低，白光LED芯片中荧光粉内散射比例增高导致最终输出流明密度受限，且增大了散热的压力。

实用新型内容

本实用新型提出了一种LED发光二极管，其可以工作在2.5A/mm²以上的高电流密度下。

一种发光二极管，包括：半导体发光叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的有源层，具有相反的上表面、下表面及连接上、下表面的侧面，其中上表面为出光面；反射层，形成于所述半导体发光叠层的第二表面之上；透光层，形成于所述半导体发光叠层的上表面之上，并至少部分覆盖所述侧面，所述半导体发光叠层发射的光线经由该透光层的上表面和侧面向外射出，出光角为135°以上。

优选地，所述半导体发光叠层发射的光线经由所述透光层向外射出后的出光角为150°以上。

优选地，所述发光二极管的辐射光强随角度分布图呈椭圆形，其横轴直径大于纵轴的直径。所述透光层在所述半导体发光叠层的上表面的厚度大于其在所述半导体发光叠层的侧面的厚度。

优选地，所述透光层在在所述半导体发光叠层的上表面的厚度为100μm以上。

在一些实施例中，所述透光层包括第一层和第二层，其中第一层形成于所述半导体发光叠层的上表面，所述第二层为一波长转换层，形成在所述透光层的上表面及侧壁上，用于接收所述有源层发射的第一波长的光，并转换为第二波长的光，其中第二波长不同于第一波长。例如，该发光二极管为一白光芯片，此时有源层发射蓝光，由经波长转换层转换后形成白光。

优选地，所述第一层的折射率为1.45~1.55之间。

优选地，所述第一层的厚度为50μm以上。

在一些实施例中，所述第一层为透光硅胶。

在一些实施例中，所述第一层为透明蓝宝石衬底或者玻璃，通过一粘合层与所述半导体发光叠层连接。

在一些所述透光层还包括一光学层，该光学层透射所述有源层发射的第一波长的光线，反射经所述波长转换层转换后的第二波长的光线。

进一步地，该发光二极管还包括第一电极和第二电极，其从所述半导体发光叠层的下表面与所述半导体发光叠层形成电性连接。

进一步地，该发光二极管还包括基板，该基板上方设置电极焊盘和发光区，发光区与焊盘间有隔离区，所述半导体发光叠层形成于所述发光区，所述焊盘到所述半导体发光叠层的侧面的距离为50μm以上。