[实用新型]发光二极管

权利要求书

1.发光二极管，包括：

半导体发光叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的有源层，具有相反的上表面、下表面及连接上、下表面的侧面，其中上表面为出光面；

反射层，形成于所述半导体发光叠层的下表面之上；

其特征在于：还包括一透光层，形成于所述半导体发光叠层的上表面之上，并至少部分覆盖所述侧面，所述半导体发光叠层发射的光线经过该透光层并从其上表面和侧面向外射出，出光角为135°以上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光叠层发射的光线经由所述透光层向外射出后的出光角为150°以上。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的辐射光强随角度分布图呈椭圆形，其横轴直径大于纵轴的直径。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光层在所述半导体发光叠层的上表面的厚度大于其在所述半导体发光叠层的侧面的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光层在所述半导体发光叠层的上表面的厚度为100μm以上。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光层包括第一层和第二层，其中第一层形成于所述半导体发光叠层的上表面，所述第二层为一波长转换层，形成在所述透光层的上表面及侧壁上，用于接收所述有源层发射的第一波长的光，并转换为第二波长的光，其中第二波长不同于第一波长。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层的折射率为1.45~1.55之间。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层的厚度为50μm以上。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层为透光硅胶。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层为透明衬底，通过一粘合层与所述半导体发光叠层连接。

11.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述透光层还包括一光学层，该光学层透射所述有源层发射的第一波长的光线，反射经所述波长转换层转换后的第二波长的光线。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：进一步包括第一电极和第二电极，其从所述半导体发光叠层的下表面与所述半导体发光叠层形成电性连接。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：进一步包括基板，该基板上方设置电极焊盘和发光区，发光区与焊盘间有隔离区，所述半导体发光叠层形成于所述发光区，所述焊盘到所述半导体发光叠层的侧面的距离为50μm以上。

14.发光二极管，包括：

半导体发光叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的有源层，具有相反的上表面、下表面及连接上、下表面的侧面，其中上表面为出光面；

反射层，形成于所述半导体发光叠层的下表面之上；

其特征在于：还包括透明层和波长转换层，所述透明层形成于所述半导体发光叠层的上表面之上，其厚度为50μm以上，所述波长转换层形成于所述透明层之上，并至少部分覆盖所述透明层的侧面，所述半导体发光叠层发射的光线经过该透明层并从其上表面和侧面向外射出。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光叠层发射的光线经由所述透明层向外射出后的出光角为135°以上。