[实用新型]可降低红外反射的图像传感器有效
| 申请号： | 201921547773.6 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN210489617U | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谭炳辉;石文杰;邵泽旭;陈超林;章兴龙;戚德奎 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 红外 反射 图像传感器 | ||
1.一种可降低红外反射的图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，包括像素区域和隔离区域，所述像素区域包括光电转换部分和电荷转移部分，所述隔离区域用于隔离两个相邻的所述像素区域；
夹层绝缘层，设置在所述半导体衬底的正面，其上设置有金属布线结构，用于电路元器件的连接；
第一氧化层，设置在所述半导体衬底的背面，作为所述半导体衬底上元器件之间的绝缘介质；
第一抗反射涂层，设置在所述第一氧化层上，用于降低入射光线的反射率；
平坦层，设置在所述第一抗反射涂层上，用于平坦化所述第一抗反射涂层的表面；以及
微透镜，设置在所述平坦层上，用于聚集入射光线以对应所述像素区域中的光电转换部分。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一抗反射涂层为一颜色滤波器。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一抗反射涂层为蓝色光学染料。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一抗反射涂层的折射率范围为1.7~1.8。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一抗反射涂层的厚度为0.66~0.875um。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括第二抗反射涂层，所述第二抗反射涂层设置在所述第一抗反射涂层和所述第一氧化层之间。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二抗反射涂层的材料为SiN。
8.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二抗反射涂层的折射率范围为1.8~1.9。
9.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二抗反射涂层的厚度范围为0~0.13um。
10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为黑白背照式图像传感器。
11.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一氧化层和所述半导体衬底之间还包括第一介电层，第二介电层以及第二氧化层；所述第二氧化层设置在所述半导体衬底上，所述第一介电层设置在所述第二氧化层上，所述第二介电层设置在所述第一介电层和所述第一氧化层之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
