[实用新型]控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器

说明书

本实用新型涉及控温技术领域，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器，控温组件包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，调试电阻与反馈电阻分别与电源连接，调试电阻与热敏电阻均与功率管的基极连接，热敏电阻与功率管的发射极连接并接地，反馈电阻与功率管的集电极连接。本实用新型的控温组件可代替现有技术的最简控温电路，通过利用功率管的基极和发射级之间有固定的导通电压，可将热敏电阻的分压与之比较，省去了现有控温组件设置的运算放大器和复杂的电阻构成，进一步实现控温组件的小型化与集成化，解决现有控温电路的元件过于冗繁的问题。

技术领域

本实用新型涉及控温技术领域，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器。

背景技术

目前控温技术运用于众多电子元器件中，以恒温晶体振荡器应用得最为广泛。恒温晶体振荡器通过控温电路与振荡电路制成，晶体振荡器中的关键元件石英晶体谐振器，其频率温度曲线在拐点温度附近，频率变化量几乎为零，因此，若将温度控制在晶体谐振器的拐点温度处，那么晶体振荡器的输出频率将很稳定。晶体谐振器的拐点温度一般比工作温度最大值高出10℃左右。如晶体振荡器要求工作温度范围为-40℃～70℃，则晶体的拐点一般设置在80℃。控温电路的作用就是持续加热，使晶振内部谐振器处的温度恒定为80℃。

现有的恒温晶体振荡器中控温电路和晶体振荡器相互独立。控温电路为直接放大式控温电路，内部有2个分压电阻，1个调试电阻，1个热敏电阻，1个加热电阻，1个运算放大器，1个功率管组成，控温电路与核心元件晶体谐振器的布局讲究。基座的结构为上下两层，其中上层主要用于放置晶片和温度传感器(热敏电阻)；下层用于布置产品电路，将晶片和电路部分分离。晶片主要由基片和设置在基片表面的晶体电极、加热电阻膜组成；晶体电极用于晶体振荡，加热电阻膜在引出端通电后实现给晶片加热功能。

随着恒温元器件的日益小型化于集成化，目前市场具有的最简控温电路仍然有简化的空间，其运放较大，电阻较多，仍显得过于冗繁。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是现有的控温组件的运放较大，电阻多，不利于小型化集成化的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种控温组件，包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。

其中，所述功率管可为一个功率管，或多个功率管并联。

其中，所述功率管为NPN型三极管。

本实用新型还提供了一种控温装置，包括基座组件、壳体和如上所述的控温组件，所述壳体与所述基座组件连接，所述控温组件与被控温件均位于所述壳体内侧并与设置于所述基座组件上。

其中，所述热敏电阻与所述被控温件之间的距离小于所述热敏电阻与所述功率管之间的距离。

其中，还包括用于支撑架起所述被控温件的支架，所述支架设置于所述基座组件上。

其中，还包括导热件，所述导热件位于所述壳体内侧且罩设在所述被控温件外侧。

其中，所述基座组件包括基座和集成板，所述基座上设有引脚，所述集成板设置于所述引脚上，所述壳体扣合于所述基座上，所述控温组件与所述被控温件设置于所述集成板上。

其中，所述集成板为PCB板或陶瓷板。

本实用新型还提供了一种恒温晶体振荡器，包括如上所述控温装置，所述被控温件为晶体谐振器。

(三)有益效果