[实用新型]一种电容耦合传感器有效
| 申请号： | 201921483012.9 | 申请日： | 2019-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN210487671U | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 尚杰;郑亚楠;郁哲;李运遥;刘宜伟;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;A61B5/0205 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 耦合 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种电容耦合传感器，包括第一电极层与第二电极层，以及位于第一电极层与第二电极层之间的介质层；其特征是：所述第一电极层呈中空结构，所述中空结构自第一电极的上表面贯穿至第一电极的下表面。
2.如权利要求1所述的电容耦合传感器，其特征是：所述中空结构包括柱状与台状。
3.如权利要求1所述的电容耦合传感器，其特征是：所述中空结构的横截面形状包括圆形、椭圆形与矩形。
4.如权利要求1所述的电容耦合传感器，其特征是：所述第一电极层的横截面形状包括中空的圆形、椭圆形、矩形。
5.如权利要求1所述的电容耦合传感器，其特征是：所述第二电极的横截面形状包括圆形、椭圆形、矩形。
6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的电容耦合传感器，其特征是：所述中空结构的横截面面积大于或者等于第二电极的横截面面积。
7.如权利要求1至5中任一权利要求所述的电容耦合传感器，其特征是：所述第二电极在第一电极的垂直投影落入中空结构的横截面中。
8.如权利要求6所述的电容耦合传感器，其特征是：所述第二电极在第一电极的垂直投影落入中空结构的横截面中。
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