[实用新型]一种化学晶片的清洗设备有效
| 申请号: | 201921452766.8 | 申请日: | 2019-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN211052040U | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
| 发明(设计)人: | 周志豪;吴丽琼;王佳;吕建满 | 申请(专利权)人: | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/10;B08B13/00 |
| 代理公司: | 北京立成智业专利代理事务所(普通合伙) 11310 | 代理人: | 奚益民 |
| 地址: | 362411 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 化学 晶片 清洗 设备 | ||
本实用新型公开了一种化学晶片的清洗设备,其结构包括反应部、清洗药剂混合槽和曝气管,反应部内分别通过上隔板、下隔板将其分隔成缓冲腔、载体反应腔和化学循环腔,载体反应腔内置有载体,载体反应腔的侧壁上设有腔体加热器,曝气管设置在下隔板的两侧,曝气管开设有多个小孔,曝气管内导入有惰性气体,上隔板和下隔板均设有若干个过滤孔,过滤孔内嵌设有滤布,清洗药剂混合槽与缓冲腔之间通过抽取泵相连接,缓冲腔与化学循环腔之间设有循环排放泵、滤罐。采用上述技术方案后,通过在载体反应腔内设有载体和曝气管,即在曝气管和清洁液的作用下,载体能悬浮进而碰撞待洗晶片,能够对高附著性的表面残留污染物质,皆可有效去除,同时降低了成本。
技术领域
本实用新型涉及一种化学晶片的清洗设备。
背景技术
现有对光学晶片表面的清洗技术具体步骤如下:
步骤1、将清洗药剂与水混合配置在反应槽内。
步骤2、开始加热或超音波装置等进行清洗。
步骤3、达到设定时间与温度等参数后,取出至QDR(快冲排槽)内以清水去除表面残留清洁药剂。
步骤4、以旋乾或烘乾方式去除水分,进而完成清洗流程。
一般清洗光学晶片多数以上述流程进行,但槽内只有清洁剂与水等液体配置,去除能力有限,且若遇较为顽固的污染物质(沾附性较强,如油脂、高分子聚合物或与表面键结力较强的反应物)就会使去除能力降低。故此,在反应槽的化学清洗能力是有优化与提升的必要。
对于光学晶片表面清洗的现存技术中,存在着以下几点不足:
1.去除能力与洗净良率仅有95~97%,尤其是油脂或高沾附性的污染物。
2.习知的超音波或震动(shake)方式去除能力有限,主因:从发震源到晶片表面的距离越长,表面清洁能力会因此而降低(空穴作用Cavitation受限于距离因素)。
3.洗净反应时间长,且多数仅有化学反应;可在物理作用下再以优化。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法。
为了实现本实用新型的上述目的,本实用新型提供了一种化学晶片的清洗设备,其结构包括反应部、清洗药剂混合槽和曝气管,所述反应部内部分别通过上隔板、下隔板将其分隔成缓冲腔、载体反应腔和化学循环腔,所述缓冲腔位于载体反应腔的顶部,所述化学循环腔位于载体反应腔的底部,所述载体反应腔内置有载体,所述载体反应腔的侧壁上固定连接有腔体加热器,所述下隔板上端面的中部上通过夹具固定有待洗晶片,所述曝气管的数量为2个,且分别固定连接在下隔板上端面的左右两侧上,每一所述曝气管的顶部上开设有等间隔分布的多个小孔,所述曝气管内导入有惰性气体,所述曝气管连接有用于控制气流量的调节阀,所述曝气管能够将载体悬浮进而碰撞待洗晶片,所述上隔板和下隔板上均开设有若干个过滤孔,每一所述过滤孔内均嵌设有滤布,所述清洗药剂混合槽与缓冲腔之间通过抽取泵相连接,所述抽取泵能够将清洗药剂混合槽内的清洁液抽取至缓冲腔中,所述缓冲腔与化学循环腔之间设有循环排放泵、滤罐,所述化学循环腔的一侧面上设置有出流管道,所述出流管道的另一端与循环排放泵相连接,所述缓冲腔的一侧面上设置有进流管道,该进流管道的另一端与滤罐相连接。
优选的,所述腔体加热器为电加热管,所述电加热管直接浸入在载体反应腔内,所述电加热管的外表面包覆有PFA管材。
优选的,所述腔体加热器为加热贴片,所述加热贴片固定连接在载体反应腔的外表面上。
优选的,所述惰性气体为CDA压缩空气或氮气中的一种。
优选的,所述滤布的孔径为5~20um。
优选的,所述滤罐的滤芯为0.1~0.5um。
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