[实用新型]一种包含低介电损耗层的复合吸波结构有效
| 申请号： | 201921391025.3 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN210537246U | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘欣;潘磊明 | 申请（专利权）人： | 苏州鑫澈电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 包含 低介电 损耗 复合 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：包括吸波材料层1、低介电损耗层3，所述吸波材料层1一侧贴合有双面胶层2，所述双面胶层2另一侧与低介电损耗层3贴合在一起，所述低介电损耗层3的另一侧贴合双面胶层4，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜5。
2.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述吸波材料层1为磁性吸波材料、介电型吸波材料或电阻型吸波材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的材质为聚硅氧烷类、聚酰亚胺类、聚四氟乙烯类有机化合物的一种。
4.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的介电常数Dk值＜3，损耗角正切Df值＜0.005。
5.根据权利要求1所述的一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，其特征在于：所述低介电损耗层3的厚度范围为0.1mm~5mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州鑫澈电子有限公司，未经苏州鑫澈电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921391025.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝合金生产用铝水过滤装置
- 下一篇：一种用于塑料成型片材的自动裁剪装置
