[实用新型]全焊接单晶硅传感器有效

专利信息
申请号: 201921306806.8 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN210198624U 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 武羿廷 申请(专利权)人: 苏州轩胜仪表科技有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 王闯
地址: 215400 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 焊接 单晶硅 传感器
【说明书】:

本申请公开了一种全焊接单晶硅传感器,包括圆柱状的进压头、压力芯体和外接接头,所述进压头的一端凹设有用于容纳所述压力芯体的安装槽,所述压力芯体包括壳体和封装于所述壳体中的扩散硅压力敏感芯片,所述壳体靠近所述进压头的一端滑配安装于所述安装槽内,所述壳体背离所述进压头的一端焊接固定于所述进压头,所述外接接头靠近所述进压头的一端套设于所述进压头的顶端,并通过焊接固定于所述进压头,所述进压头背离所述安装槽的一端中心凹设有冲油孔,所述冲油孔连通于所述安装槽。本申请结构简单,降低制造成本,解决传感器不耐腐蚀及高温问题,具有高稳定性和高可靠性。

技术领域

本申请涉及高性能、智能化仪器仪表领域,特别涉及一种全焊接单晶硅传感器。

背景技术

现有单晶硅传感器是采用侧密封方式,如图4所示,将一个芯体1安装到不锈钢接头2内,芯体具备侧密封O型圈,通过后端锁紧环3压紧,封装成一个成品传感器部件;现有的不锈钢接头需要采用不锈钢圆棒加工,加工时间长,耗费材料巨大,后面锁紧环安装繁琐;侧密封方法虽可靠,但密封O型圈不能长期耐高温、不耐腐蚀,会因为之类问题,导致被测介质泄漏至传感器外壳内。故此需要提出改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种全焊接单晶硅传感器,以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

本申请实施例公开了一种全焊接单晶硅传感器,包括圆柱状的进压头、压力芯体和外接接头,所述进压头的一端凹设有用于容纳所述压力芯体的安装槽,所述压力芯体包括壳体和封装于所述壳体中的扩散硅压力敏感芯片,所述壳体靠近所述进压头的一端滑配安装于所述安装槽内,所述壳体背离所述进压头的一端焊接固定于所述进压头,所述外接接头靠近所述进压头的一端套设于所述进压头的顶端,并通过焊接固定于所述进压头,所述进压头背离所述安装槽的一端中心凹设有冲油孔,所述冲油孔连通于所述安装槽。

优选的,在上述的全焊接单晶硅传感器中,所述壳体背离所述进压头的一端沿其径向向外凸伸有第一台阶,所述第一台阶通过光纤激光连续焊接固定于所述进压头。

优选的,在上述的全焊接单晶硅传感器中,所述第一台阶的直径与所述进压头的顶端外径相同。

优选的,在上述的全焊接单晶硅传感器中,所述安装槽的外壁凸伸有第二台阶,所述外接接头靠近所述进压头的一端通过激光脉冲焊接固定于所述第二台阶。

优选的,在上述的全焊接单晶硅传感器中,所述进压头背离所述安装槽的一端依次凸伸有夹持部和引压部,所述夹持部和引压部与所述进压头一体成型而成。

优选的,在上述的全焊接单晶硅传感器中,所述外接接头的中心凹设有通孔,所述通孔套设于所述进压头的顶端,所述外接接头背离所述进压头的一端外壁加工有外螺纹。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:该全焊接单晶硅传感器结构简单,压力芯体和外接接头分别焊接固定于进压头,解决传感器不耐腐蚀及高温问题,外接接头和进压头分为两段,分别加工,提高生产效率,降低制造成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中全焊接单晶硅传感器的结构示意图。

图2所示为本实用新型具体实施例中进压头和压力芯体的安装示意图。

图3所示为本实用新型具体实施例中全焊接单晶硅传感器的分解示意图。

图4所示为现有技术单晶硅传感器的结构示意图。

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