[实用新型]全焊接单晶硅传感器有效
| 申请号: | 201921306806.8 | 申请日: | 2019-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN210198624U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 武羿廷 | 申请(专利权)人: | 苏州轩胜仪表科技有限公司 |
| 主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00 |
| 代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 王闯 |
| 地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 焊接 单晶硅 传感器 | ||
1.一种全焊接单晶硅传感器,其特征在于,包括圆柱状的进压头、压力芯体和外接接头,所述进压头的一端凹设有用于容纳所述压力芯体的安装槽,所述压力芯体包括壳体和封装于所述壳体中的扩散硅压力敏感芯片,所述壳体靠近所述进压头的一端滑配安装于所述安装槽内,所述壳体背离所述进压头的一端焊接固定于所述进压头,所述外接接头靠近所述进压头的一端套设于所述进压头的顶端,并通过焊接固定于所述进压头,所述进压头背离所述安装槽的一端中心凹设有冲油孔,所述冲油孔连通于所述安装槽。
2.根据权利要求1所述的全焊接单晶硅传感器,其特征在于:所述壳体背离所述进压头的一端沿其径向向外凸伸有第一台阶,所述第一台阶通过光纤激光连续焊接固定于所述进压头。
3.根据权利要求2所述的全焊接单晶硅传感器,其特征在于:所述第一台阶的直径与所述进压头的顶端外径相同。
4.根据权利要求1所述的全焊接单晶硅传感器,其特征在于:所述安装槽的外壁凸伸有第二台阶,所述外接接头靠近所述进压头的一端通过激光脉冲焊接固定于所述第二台阶。
5.根据权利要求1所述的全焊接单晶硅传感器,其特征在于:所述进压头背离所述安装槽的一端依次凸伸有夹持部和引压部,所述夹持部和引压部与所述进压头一体成型而成。
6.根据权利要求1所述的全焊接单晶硅传感器,其特征在于:所述外接接头的中心凹设有通孔,所述通孔套设于所述进压头的顶端,所述外接接头背离所述进压头的一端外壁加工有外螺纹。
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