[实用新型]存储器器件

说明书

本公开的实施例涉及存储器器件。一种相变存储器单元在至少第一部分中包括至少一个锗层的堆叠，该至少一个锗层的堆叠被由锗、锑和碲的第一合金制成的至少一层覆盖。在编程状态下，由于将堆叠的一部分加热到足够的温度，锗层的一部分和第一合金的层的一部分形成由锗、锑和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。

技术领域

本公开总体上涉及存储器器件，更具体地，涉及包括由锗、锑和碲组成的相变合金的存储器。

背景技术

相变材料是可以在热量的作用下在结晶相和非晶相之间切换的材料。由于非晶材料的电阻显著大于结晶材料的电阻，因此这种现象可用于定义有通过相变材料测得的电阻来区分的两种存储器状态(例如，0和1)。存储器中最常见的相变材料是由锗、锑和碲组成的合金。

通常的相变存储器一般由锗、锑和碲的合金按化学计量比例制成，例如Ge₂Sb₂Te₅。问题是这种合金对温度很敏感。具体地，它们的结晶温度太低而无法承受裸片焊接工艺的温度范围，特别是在汽车工业中。焊接温度将引起被编程数据的修改。

实用新型内容

为了解决上述问题，本公开提出了一种存储器器件。

在第一方面，提供了一种存储器器件，该存储器器件包括：绝缘层，包括与第一相变存储器单元相关联的第一电阻加热元件以及与第二相变存储器单元相关联的第二电阻加热元件；层的堆叠，在第一电阻加热元件和第二电阻加热元件上方延伸，堆叠包括：第一层，由锗、锑和碲的第一合金制成；锗层，在由第一合金制成的第一层上方；以及第二层，在锗层上方，由第一合金制成；以及其中堆叠包括与第二电阻加热元件接触的区域，区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中第二合金具有比第一合金高的锗浓度。

根据一个实施例，锗层具有与第一层中的每个第一层的厚度不同的厚度。

根据一个实施例，锗层掺杂有氮。

根据一个实施例，第一合金由Ge₂Sb₂Te₅制成。

根据一个实施例，第一层和第二层具有不同比例的锗、锑和碲。

根据一个实施例，第一电阻加热元件和第二电阻加热元件与堆叠的第一层接触。

根据一个实施例，第一相变存储器单元和第二相变存储器单元为由绝缘区域分离的相邻存储器单元。

根据一个实施例，存储器器件是一次性可编程存储器器件。

根据一个实施例，第一相变存储器单元以第一逻辑状态进行编程，并且第二相变存储器单元以第二逻辑状态进行编程。

根据一个实施例，堆叠的第一层和第二层中的每一层都具有大于约4nm的厚度。

一个实施例克服了已知相变存储器的全部或部分缺点。

附图说明

上述特征和优点以及其他特征和优点将在以下通过说明而非限制地参考附图给出的对具体实施例的详细说明中进行详细描述，其中：

图1示出了相变存储器单元的一部分的实施例的简化截面图；

图2A-图2B示出了图1的实施例的制造和可能的编程的两个步骤的简化截面图；

图3A-图3B分别示意性地示出了编程前和编程后的存储器器件的一个实施例的截面图；

图4示意性示出了存储器器件的另一实施例的截面图；

图5示意性示出了一次读取存储器的一个实施例。

具体实施方式