[实用新型]一种低频段滤波装置及电器设备

权利要求书

1.一种低频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元和第一低频陷波单元；所述第一低频陷波单元，设置在所述基本滤波单元中；其中，

所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中低频段之外频段部分的共模干扰进行滤除；

所述第一低频陷波单元，用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容；其中，

所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；

所述第一低频陷波单元、所述第一共模电容和所述第二共模电容，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间，且所述第一低频陷波单元位于所述第一磁环与所述第一共模电容之间；

所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第二共模电容之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的低频段磁环；所述低频段磁环，包括：高导锰锌铁氧体磁环，或纳米晶、非晶磁环。

4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述第一低频陷波单元，包括：第一陷波电容和第一低频陷波电感；其中，

所述第一陷波电容的公共端，经所述第一低频陷波电感后接地。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一低频陷波单元，还包括：第一低频陷波电阻；其中，

所述第一陷波电容的公共端，依次经所述第一低频陷波电感和所述第一低频陷波电阻后接地。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一陷波电容的电容值，小于所述第一共模电容的电容值；

和/或，

所述第一陷波电容，包括：陶瓷电容或薄膜电容。

7.根据权利要求1-3之一所述的装置，其特征在于，还包括：第二低频陷波单元；

所述第二低频陷波单元，设置在电源出线的L、N线与地线之间，且位于所述基本滤波单元远离所述电源的一侧。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二低频陷波单元的结构，与所述第一低频陷波单元相同；

或者，

所述第二低频陷波单元的谐振频率，与所述第一低频陷波单元的谐振频率错开设定值。

9.一种电器设备，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一所述的低频段滤波装置。