[实用新型]一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置有效
| 申请号: | 201921225236.X | 申请日: | 2019-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN210322798U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
| 发明(设计)人: | 陈秋兰;陈建;金浩宇;刘虔铖 | 申请(专利权)人: | 广东食品药品职业学院 |
| 主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人: | 钟斌 |
| 地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 制备 氧化钼 纳米 表面 增强 散射 基底 装置 | ||
1.一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:包括石英管、活动套设于所述石英管外壁的移动加热圈、放置于所述石英管内部用于承载氧化钼粉末的坩埚以及放置于所述石英管内部的衬底,所述坩埚的顶部设置有遮挡片;所述石英管的一端设置有进气连接件、另一端设置有出气连接件。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述进气连接件包括第一连接件和设置于所述第一连接件外端的进气管,所述第一连接件的中部开设有与所述进气管连通的进气通孔;所述出气连接件包括第二连接件和设置于所述第二连接件外端的出气管,所述第二连接件的中部开设有与所述出气管连通的出气通孔。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述衬底为Si片、SiO2片、云母片或石英片中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述移动加热圈设置有与外界电源相连接的电源接驳件。
5.根据权利要求2所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述第一连接件的边缘凹设有环形的第一凹槽,所述第一凹槽靠近所述第一连接件的外壁环设有第一内螺纹;所述第二连接件的边缘凹设有环形的第二凹槽,所述第二凹槽靠近所述第二连接件的外壁环设有第二内螺纹;所述石英管的一端外壁设置有与所述第一内螺纹相连接的第一外螺纹、另一端外壁设置有与所述第二内螺纹相连接的第二外螺纹。
6.根据权利要求2所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述第一连接件的外端设置有用于稳固所述进气管的第一固定件。
7.根据权利要求2所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述第二连接件的外端设置有用于稳固所述出气管的第二固定件。
8.根据权利要求6所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述第一固定件中部开设有用于所述进气管穿过、并与所述进气通孔相连通的第一通孔。
9.根据权利要求7所述的一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置,其特征在于:所述第二固定件中部开设有用于所述出气管穿过、并与所述出气通孔相连通的第二通孔。
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