[实用新型]一种倒装LED芯片及发光二极管

说明书

本实用新型提供一种倒装LED芯片及发光二极管，该倒装LED芯片包括形成在第二半导体层上的第一透明导电层，形成在第一透明导电层上方的绝缘折射层以及形成在绝缘折射层上方的金属反射层。由于绝缘折射层和金属反射层二者的高低折射率差异，使得第一透明导电层、绝缘折射层和金属反射层形成全反射结构，增强LED芯片的出光效率。绝缘折射层中形成有第一通孔和第二通孔，金属反射层形成在第一和第二通孔中分别与第一透明导电层和第二半导体层连接，由此改善了金属反射层与绝缘折射层之间的粘附力，避免LED芯片因金属反射层和绝缘折射层之间粘附力差而导致的起皮的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体照明技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片及发光二极管。

背景技术

LED(light emitting diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，尤其其中的倒装LED芯片，具有免打线、高光效、散热性好等优点，作为未来的发展趋势而被广泛关注和开发。

目前，倒装芯片主要采用Ag或者DBR作为反射层(Mirror)。这样的反射层结构存在一系列的问题，例如，Ag的反射率上限约为95％，很难进一步提高，进而很难提高芯片的出光效率；而DBR的反射则具有一定的方向性，且作为绝缘层，导电导热效果不理想，不利于芯片的散热。

实用新型内容

针对现有技术中倒装LED芯片的反射结构存在的不足与缺陷，本实用新型提供一种倒装LED芯片及发光二极管，在透明导电层上方依次形成绝缘折射层和金属反射层，由此通过高低折射率差提高整体结构的反射效果；另外在绝缘折射层中形成第一通孔和第二通孔，金属反射层形成在绝缘折射层及第一和第二通孔中，使得金属反射能在与绝缘折射层连接的同时，还通过第一通孔和第二通孔分别与第一透明导电层和第二半导体层连接，由此改善发射金属层与绝缘折射层粘附不加导致的一系列问题。

根据本实用新型的第一方面，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：

发光结构外延层，所述发光结构外延层包括：第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的有源层、形成在所述有源层上方的与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，所述发光结构外延层中形成有第一半导体沟槽，所述第一半导体沟槽的底部位于所述第一半导体层中；

形成在所述第二半导体层上方的第一透明导电层；

形成在所述透明导电层上方的绝缘折射层，所述绝缘折射层覆盖所述第一透明导电层、所述第一透明导电层周围的所述第二半导体层以及所述第一半导体沟槽底部的第一半导体层；

形成在所述绝缘折射层上方的金属反射层，所述金属反射层覆盖所述绝缘折射层。

可选地，所述绝缘折射层中形成有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔形成在所述第一透明导电层上方，所述第二通孔形成在所述第二半导体层上方。

可选地，所述金属反射层形成在所述第一通孔和所述第二通孔中，并且通过所述第一通孔与所述第一透明导电层连接，通过所述第二通孔与所述第二半导体层连接。

可选地，所述第一通孔使得周围的所述绝缘折射层与所述第一通孔底部的第一透明导电层形成“凹”型结构，相邻的所述第二通孔使得周围的所述绝缘折射层与所述绝缘折射层下方的所述第二半导体层形成“凸”型结构。

可选地，所述绝缘折射层和所述金属反射层之间还具有第二透明导电层。

根据本实用新型的第二方面，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：

发光结构外延层，所述发光结构外延层包括：第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的有源层、形成在所述有源层上方的与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，所述发光结构外延层中形成有第一半导体沟槽，所述第一半导体沟槽的底部位于所述第一半导体层中；