[实用新型]一种双模DP切换电路有效

专利信息
申请号: 201921131662.7 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN210297899U 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 刘忠臣;何建伟;陈小兵;黎小兵;辛大勇 申请(专利权)人: 江苏嘉擎信息技术有限公司
主分类号: H04N5/765 分类号: H04N5/765;H04N5/268;G06F13/12
代理公司: 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 代理人: 周子轶
地址: 215316 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双模 dp 切换 电路
【权利要求书】:

1.一种束线机构一种双模DP切换电路,包括DP接口、DP信号源、与所述DP接口进行连接的CPU、以及分别与所述DP接口、所述CPU电性连接的场效应管Q2,所述DP信号源与所述DP接口电性连接,其特征在于,该种电路还包括HDMI信号源、信号切换单元,所述HDMI信号源与所述DP接口电性连接,并经所述信号切换单元与所述CPU进行信号传输,所述信号切换单元的第一端与所述DP接口电性连接、所述信号切换单元的第二端与所述CPU电性连接,所述切换单元通过调整所述CPU的输出接口的电压进行输出模式的切换。

2.根据权利要求1所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述信号切换单元包括互相并联的第一支路和第二支路,所述第一支路使用AUX串连串接电容到所述CPU的AUX接口,所述第二支路与所述CPU的CLK/DATA接口连接,并设置上拉电阻。

3.根据权利要求2所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述第一支路包括组合场效应管Q3,所述组合场效应管Q3的第一场效应管的栅极与所述DP接口电性连接、且其漏极与所述CPU的CLK信号端连接,所述组合场效应管Q3的第二场效应管的源极与所述CPU的DATA信号端连接。

4.根据权利要求3所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述上拉电阻包电阻R1、电阻R5,所述组合场效应管Q3的第一场效应管的栅极的接线端与所述电阻R1并联,所述组合场效应管Q3的第二场效应管的源极的接线端与所述电阻R5并联。

5.根据权利要求4所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述电阻R1与所述电阻R5均为2.2KΩ,且所述电阻R1与所述电阻R5均通入3.3V电压。

6.根据权利要求2或4所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述第二支路包括组合场效应管Q1,所述组合场效应管Q1的第一场效应管的栅极与所述场效应管Q2电性连接、且其源极与所述CPU的AUX接口电性连接,所述组合场效应管Q1的第二场效应管的源极与所述CPU的AUX接口电性连接。

7.根据权利要求6所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述串接电容包括电容C1、电容C2,所述组合场效应管Q1的第一场效应管的源极的接线端与所述电容C1串联,所述组合场效应管Q1的第二场效应管的源极的接线端与所述电容C2串联。

8.根据权利要求7所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述电容C1与所述电容C2均为100nF。

9.根据权利要求3所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述第一所述组合场效应管Q3的第一场效应管的栅极与所述场效应管Q2的栅极连接,并连接在所述DP接口的同一引脚上。

10.根据权利要求1所述的双模DP切换电路,其特征在于,所述场效应管Q2栅极的接线端上还连接有分压电阻R6。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏嘉擎信息技术有限公司,未经江苏嘉擎信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921131662.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top