[实用新型]一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器有效
| 申请号: | 201921051233.9 | 申请日: | 2019-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN209844922U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
| 发明(设计)人: | 汪程飞;刘家兵 | 申请(专利权)人: | 合肥芯谷微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/24 |
| 代理公司: | 53113 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人: | 周勇 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市高新区创新大*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放大器 本实用新型 低功耗 发射极 晶体管 晶体管集电极 单电源供电 射频放大器 增益放大器 达林顿管 电路结构 匹配网络 输出功率 直接耦合 传统的 低饱和 低频段 第一级 集电极 电极 基级 减小 两级 复合 | ||
本实用新型涉及增益放大器技术领域,尤其为一种DC‑2GHz低功耗GainBlock放大器,包括两级达林顿管结构,采用复合过接方式,将两只晶体管集电极连在一起,而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极,最后分别引出基级,发射极,集电极三个电极,该器件采用单电源供电。本实用新型电路结构简单,没有复杂的匹配网络,与传统的射频放大器相比,尺寸和成本大大减小,同时也是一种低功耗,低饱和输出功率的放大器,在低频段有着优异的性能。
技术领域
本实用新型涉及增益放大器技术领域,具体为一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器。
背景技术
传统的放大电路,通过复杂的拓扑结构达到优异的性能,功耗较高,一般尺寸都比较大,而且成本比较昂贵。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器,以解决上述背景技术中提出的问题。所述DC-2GHz低功耗GainBlock放大器的电路结构简单,尺寸很小,成本较低,同时也是一种低功耗,低饱和输出功率的放大器,在低频段有着优异的性能,可以在功率输出有限制的链路中得到应用。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器,包括两级达林顿管结构,采用复合过接方式,将两只晶体管集电极连在一起,而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极,最后分别引出基级,发射极,集电极三个电极,该器件采用单电源供电。
优选的,第一级晶体管、第二级晶体管的基级、发射极连接有偏置电阻,集电极连接有反馈电阻。
优选的,第一级晶体管的基级连接隔直电容作为射频输入端口,第一级晶体管、第二级晶体管共集电极连接隔直电容作为射频输出端口。
优选的,单电源通过射频扼流圈连接共集电极供电。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型电路结构简单,没有复杂的匹配网络,与传统的射频放大器相比,尺寸和成本大大减小,同时也是一种低功耗,低饱和输出功率的放大器,在低频段有着优异的性能。
本实用新型电路,结构简单,尺寸很小,成本较低,同时也是一种低功耗,低饱和输出功率的放大器,在低频段有着优异的性能,可以在功率输出有限制的链路中得到应用。
本实用新型电路,由两级达林顿放大器构成,放大器采用单电源供电。两级放大器采用较小尺寸的HBT管。与传统结构相比,本结构具有尺寸小、成本低、功耗低、指标优异等优点。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图;
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图;
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图;
图4为本实用新型电路的输入输出反射系数测试图;
图5为本实用新型电路的反向隔离测试图;
图6为本实用新型电路输出1dB压缩点以及饱和输出功率测试图;
图7为本实用新型电路输入功率为-10dBm不同频点OIP3测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1~7,本实用新型提供一种技术方案:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯谷微电子有限公司,未经合肥芯谷微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921051233.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





