[实用新型]一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器有效
| 申请号： | 201921051233.9 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN209844922U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 汪程飞;刘家兵 | 申请（专利权）人： | 合肥芯谷微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/24 |
| 代理公司： | 53113 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人： | 周勇 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新大*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 本实用新型 低功耗 发射极 晶体管 晶体管集电极 单电源供电 射频放大器 增益放大器 达林顿管 电路结构 匹配网络 输出功率 直接耦合 传统的 低饱和 低频段 第一级 集电极 电极 基级 减小 两级 复合 | ||
【权利要求书】：
1.一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：包括两级达林顿管结构，采用复合过接方式，将两只晶体管集电极连在一起，而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级，发射极，集电极三个电极，该器件采用单电源供电。
2.根据权利要求1所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：第一级晶体管、第二级晶体管的基级、发射极连接有偏置电阻，集电极连接有反馈电阻。
3.根据权利要求1所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：第一级晶体管的基级连接隔直电容作为射频输入端口，第一级晶体管、第二级晶体管共集电极连接隔直电容作为射频输出端口。
4.根据权利要求3所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：单电源通过射频扼流圈连接共集电极供电。
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