[实用新型]一种通过连接孔改善UIS的功率器件有效
| 申请号： | 201920955855.8 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN209843715U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 32368 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 梁金娟 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接孔 混合气体 接触区 刻蚀 源区 本实用新型 介质层 月牙状 混合气体形成 退火 寄生三极管 功率器件 基区电阻 曝光处理 椭圆形状 栅氧化层 保护膜 导通 减小 涂胶 扩散 制作 | ||
1.一种通过连接孔改善UIS的功率器件，包括第一导电类型的衬底和外延层，所述外延层内上侧间隔设有若干沟槽，所述外延层上侧以及沟槽内侧长有栅氧化层，所述沟槽内侧的栅氧化层外侧沉积有多晶硅，对所述沟槽及其外侧的外延层内整体执行杂质注入和推阱形成第二导电类型轻掺杂的体区，所述体区经杂质注入和退火形成第一导电类型重掺杂的源区，所述栅氧化层上侧长有介质层，其特征在于，所述源区上侧栅氧化层和介质层刻蚀有第一连接孔，所述第一连接孔下侧的源区和体区刻蚀有第二连接孔，所述第二连接孔下侧的体区内经杂质注入和推阱形成有第二导电类型重掺杂的接触区，所述接触区呈月牙状，所述第二连接孔、第一连接孔和介质层的上侧沉积金属层，以形成源极。
2.根据权利要求1所述的通过连接孔改善UIS的功率器件，其特征在于，所述第二连接孔竖截面呈椭圆形状。
3.根据权利要求1所述的通过连接孔改善UIS的功率器件，其特征在于，所述氧化层的厚度为
4.根据权利要求1所述的通过连接孔改善UIS的功率器件，其特征在于，所述沟槽的深度在0.5至2μm。
5.根据权利要求1所述的通过连接孔改善UIS的功率器件，其特征在于，所述体区注入硼元素形成，注入能量为：30-90Kev，注入计量：5E12-3E13。
6.根据权利要求1所述的通过连接孔改善UIS的功率器件，其特征在于，所述介质层的厚度为
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