[实用新型]桥式电路结构

权利要求书

1.一种桥式电路结构，其特征在于，所述桥式电路结构包括：

第一开关元件，包括第一端、第二端及控制端；

第二开关元件，包括第一端、第二端及控制端；

驱动模块，包括：驱动电路、辅助电源及升压电容，其中，

驱动电路分别电性耦接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的所述控制端，用于提供所述第一开关元件及所述第二开关元件各自的驱动信号；

所述第一开关元件的第二端与所述第二开关元件的第一端电性连接，并通过所述升压电容电性耦接至所述辅助电源；以及

第一旁路元件，与所述第二开关元件并联连接，其中，所述第一旁路元件的导通电压降小于所述第二开关元件的所述第二端至所述第一端的导通电压降。

2.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第一旁路元件为二极管，所述第一旁路元件的阳极电性连接至所述第二开关元件的所述第二端，所述第一旁路元件的阴极电性连接至所述第二开关元件的所述第一端。

3.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第一旁路元件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一旁路元件的源极电性连接至所述第二开关元件的所述第二端以及漏极电性连接至所述第二开关元件的所述第一端。

4.根据权利要求1至3任意一所述的桥式电路结构，其特征在于，所述桥式电路结构还包括第二旁路元件，与所述第一开关元件并联连接，其中，所述第二旁路元件的导通电压降小于所述第一开关元件的所述第二端至所述第一端的导通电压降。

5.根据权利要求4所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第二旁路元件为二极管，所述第二旁路元件的阳极电性连接至所述第一开关元件的所述第二端以及阴极电性耦接至所述第一开关元件的所述第一端。

6.根据权利要求4所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第二旁路元件为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二旁路元件的源极电性连接至所述第一开关元件的第二端以及漏极电性连接至所述第一开关元件的第一端。

7.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件工作于互补式高频开关模式。

8.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第一开关元件或所述第二开关元件为单个开关管。

9.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述第一开关元件或所述第二开关元件包括多个并联的开关管。

10.根据权利要求8或9任意一所述的桥式电路结构，其特征在于，所述开关管为宽禁带半导体器件。

11.根据权利要求10所述的桥式电路结构，其特征在于，所述开关管为GaN-FET。

12.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述桥式电路结构适用于图腾柱功率因数校正变换器。

13.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述驱动电路包括多个驱动芯片，每一所述驱动芯片电性耦接至所述第一开关元件或所述第二开关元件的所述控制端。

14.根据权利要求1所述的桥式电路结构，其特征在于，所述驱动电路包括一驱动芯片，所述驱动芯片电性耦接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的所述控制端。