[实用新型]晶体硅光伏组件有效
| 申请号: | 201920662088.1 | 申请日: | 2019-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN209515683U | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
| 发明(设计)人: | 闫勇;李涛勇 | 申请(专利权)人: | 苏州城邦达力材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0443 | 分类号: | H01L31/0443;H01L31/05;H01L31/048;H01L31/0224;H02S40/34 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 周宇 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池片 晶体硅光伏组件 电池串 电池片组 电池连接 封装胶膜 并联 旁路二极管 并排设置 方向垂直 方向平行 方向设置 光伏发电 热斑效应 背面板 接线盒 平行边 前面板 延伸 串联 | ||
一种晶体硅光伏组件,涉及光伏发电技术领域,包括前面板、第一封装胶膜、电池连接组、第二封装胶膜、背面板及接线盒,电池连接组包括旁路二极管和串联连接的M个电池串,M个电池串并排设置成M排,M为偶数,M≥2,电池串包括多个相互串联的电池片组,电池片组包括两片或两片以上并联的电池片,电池片呈矩形或梯形,电池片组内相互并联的电池片沿第一方向设置,第一方向平行于电池串的延伸方向,第二方向垂直于第一方向,当电池片为梯形时,第一方向为电池片两平行边的延伸方向。该晶体硅光伏组件能够有效降低热斑效应对晶体硅光伏组件的影响。
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域,具体而言,涉及一种晶体硅光伏组件。
背景技术
为了叙述方便起见,以下晶体硅光伏组件简称光伏组件;电池或电池片均指晶体硅光伏电池。
光伏组件,在实际应用中,为了达到较高的光电转换效率,同一块光伏组件中的每一块电池片,都需具有相似的特性。当某些电池片输出特性较差时,就会导致其内阻增高、电能消耗增加、电池片发热、电能输出降低、降低光伏组件寿命,严重时会烧毁电池片和光伏组件,这就是所谓热斑效应。一般的,这种电池片性能的变差是由于电池片被遮挡造成的,这种遮挡是当太阳高度较低时,由太阳光照方向的相邻光伏组件阴影或地面植物生长、或光伏组件沾污等阴影所引起。由于光伏系统占地面积的限制和光伏组件清洗的不及时,此种遮挡往往难以避免。
现有技术中电池片的形状一般是圆形或方形等平面中心对称形状,电池片面积较大,因此一个电池串在光伏组件中占据了较大的宽度,而每片电池片又集中在较短的长度内。
当采用加装旁路二极管的技术措施来降低热斑效应的影响时,请结合参照图1与图2,例如:60片电池片的光伏组件,常见的由6串电池串,每串10片电池片串联,排列成6列10行的电池片阵列,每两个电池串串联后与一只旁路二极管反并联,光伏组件一共有三只旁路二极管。当光伏组件正常工作时,旁路二极管处于反偏截止状态,不导电;当某电池串中有电池片发生热斑效应时,相应的旁路二极管正向导通,从而限制加在故障电池片上的反向电压和流经故障电池片的电流,达到抑制热斑效应的目的。但这种方式抗热斑效应的结果并不理想,存在如下问题:
(1)请具体参考图1,为减轻光伏组件阵列间相互遮挡的影响,光伏系统通常采取光伏组件横向安装的方式,这样当太阳高度较低时,或者受地面植物遮挡时,或者光伏组件表面的污垢集中到光伏组件下部时,受遮挡的电池片集中在光伏组件底端的一个电池串。简单地说,当光伏组件底端的电池串的电池片受遮挡发生热斑效应时,则光伏组件底端的两个电池串被旁路二极管旁路,此时造成整个光伏组件1/3的电池片被旁路,光伏组件的输出功率随之降低1/3,这将导致整个光伏组件的发电效率大幅降低;
(2)请具体参考图2,如果采用纵向安装的方式,这样当太阳高度较低时,或者受地面植物遮挡时,或者光伏组件表面的污垢集中到光伏组件下部时,受遮挡的电池片则分布在所有的电池串。简单地说,此时所有的电池串均可能被旁路二极管旁路,整个光伏组件将失去功率输出。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶体硅光伏组件,其能够有效降低热斑效应对晶体硅光伏组件的影响,减少晶体硅光伏组件的电阻损耗,得到更高的发电效率。
本实用新型的实施例是这样实现的:
本实用新型实施例提供一种晶体硅光伏组件,包括前面板、第一封装胶膜、电池连接组、第二封装胶膜、背面板以及接线盒;
所述电池连接组包括旁路二极管,所述电池连接组还包括串联连接的M个电池串,M个电池串并排设置成M排,M为偶数,M≥2;
所述电池串包括多个相互串联的电池片组,所述电池片组包括两片或两片以上并联的电池片,所述电池片组内相互并联的电池片沿第一方向设置,所述电池片组在第一方向上的延伸长度大于所述电池片组在第二方向上的延伸长度;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





