[实用新型]彩色化显示Micro-LED器件有效
| 申请号: | 201920655463.X | 申请日: | 2019-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN210379047U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
| 发明(设计)人: | 王新中;赵志力;王恺;孙小卫;陈明祥 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院;南方科技大学 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 显示 micro led 器件 | ||
本实用新型提供了一种彩色化显示Micro‑LED器件,包括基板;设置在所述基板上的蓝光Micro‑LED阵列,所述光Micro‑LED阵列包括多个蓝光Micro‑LED单元;设置在所述蓝光Micro‑LED阵列上的模具,所述模具在所述蓝光Micro‑LED单元上方设置通孔,且沿着垂直远离所述蓝光Micro‑LED阵列的方向,所述通孔的尺寸逐渐增加;根据预设发光区域,在红光区域对应的所述通孔中设置红光量子点单元,在绿光区域对应的所述通孔中设置绿光量子点单元,且所述红光量子点单元、所述绿光量子点单元的厚度均不高于所述通孔的高度。
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,尤其涉及一种彩色化显示Micro-LED器件。
背景技术
发光二极管(LED)具有体积小、成本低、高光效及节能环保等优点,被广泛应用在可见光通信、汽车大灯和背光显示等应用。Micro-LED是新一代显示技术,Micro-LED具有微米级尺寸,通常小于100微米。因此,Micro-LED具有不同于大尺寸LED的许多特性,如高电流密度、高输出光功率密度和高光电调制带宽等优点。通过阵列Micro-LED,能够实现高亮度和高性能的液晶显示。Micro-LED应用于背光显示,需要能实现全彩显示。其实现方法主要有以下两种:第一种方法是在面板上组合红、绿和蓝(RGB)三色LED单元,虽然这种方法可以获得较高的显色指数,但这种方法的外延制造比较困难,并且驱动电路较为复杂,红、绿、蓝三色LED工作电压不同,衰减速率也不同,很难保证光色的一致,因此会影响整个光学系统的可靠性。第二种方法通过某种单色LED激发光转换材料,来生成红绿蓝三色光,从而能克服第一种方法的缺点。但传统的光转换材料是荧光粉,因为荧光粉的半峰宽较宽,红绿荧光粉的光效较低,因此其色域范围和显示指数达不到显示要求。此外,荧光粉粒径较大,在工艺上很难实现在微米级别的荧光粉喷涂,限制了Micro-LED的发展。高分辨率是LED显示的发展趋势。然而,目前高分辨率条件下,Micro-LED之间的间距非常小,在微米级别,这就会导致相互之间的颜色串扰。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种彩色化显示Micro-LED器件,旨在解决现有Micro-LED器件存在串色导致色效差的问题。
为实现上述实用新型目的,本实用新型采用的技术方案如下:
本实用新型提供一种彩色化显示Micro-LED器件,包括基板;
设置在所述基板上的蓝光Micro-LED阵列,所述光Micro-LED阵列包括多个蓝光Micro-LED单元;
设置在所述蓝光Micro-LED阵列上的模具,所述模具在所述蓝光Micro-LED单元上方设置通孔,且沿着垂直远离所述蓝光Micro-LED阵列的方向,所述通孔的尺寸逐渐增加;
根据预设发光区域,在红光区域对应的所述通孔中设置红光量子点单元,在绿光区域对应的所述通孔中设置绿光量子点单元,且所述红光量子点单元、所述绿光量子点单元的厚度均不高于所述通孔的高度。
优选的,所述通孔的侧壁与所述蓝光Micro-LED单元的上表面之间的夹角为115°~155°。
优选的,所述蓝光Micro-LED单元的横向切面尺寸为(20μm~50μm)×(20μm~50μm)。
优选的,其特征在于,相邻的所述蓝光Micro-LED单元之间的距离为50μm~100μm。
优选的,所述通孔的高度为20μm~40μm。
优选的,所述红光量子点单元的厚度小于等于20μm。
优选的,所述绿光量子点单元的厚度小于等于20μm。
优选的,所述红光量子点单元为立方体形状或球冠形状。
优选的,所述绿光量子点单元为立方体形状或球冠形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





