[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括器件区和终端区，所述终端区围绕所述器件区，所述器件区包括具有第一导电类型的多个肖特基区和具有第二导电类型的多个二极管区，相邻两个肖特基区被二极管区隔开，所述器件区包括中心区域，所述中心区域包括子区域，所述子区域中的每个肖特基区不连续。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述中心区域中的每个二极管区包括第二导电类型的势垒区和缓冲区，所述势垒区具有长边和短边，所述缓冲区围绕所述势垒区，所述缓冲区的杂质浓度低于所述势垒区的杂质浓度，所述子区域中的每个肖特基区包括两个或更多个子肖特基区，沿所述势垒区的长边方向，相邻的子肖特基区被缓冲区隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，沿所述势垒区的长边方向，相邻的子肖特基区进一步被势垒区隔开。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述终端区包括第二导电类型的掺杂区，所述器件区还包括边缘区域，所述边缘区域包括第二导电类型的缓冲区，所述边缘区域中的缓冲区与所述终端区中的掺杂区相连通。

5.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

第一导电类型的半导体层，所述半导体层包括碳化硅，并且具有第一面和第二面，所述半导体层包括基底和形成在所述基底上的漂移层，所述漂移层的杂质浓度低于所述基底的杂质浓度；

多个二极管区，所述多个二极管区设置在所述漂移层内，所述多个二极管区具有第二导电类型并且从所述第一面朝向所述基底的方向延伸；

多个肖特基区，所述多个肖特基区设置在所述漂移层内并且从所述第一面朝向所述基底的方向延伸，相邻两个肖特基区被二极管区隔开；

第一金属电极，所述第一金属电极设置在所述第一面上，所述第一金属电极与所述多个肖特基区接触形成肖特基接触，并且与所述多个二极管区接触形成低阻接触；以及

第二金属电极，所述第二金属电极与所述第二面形成欧姆接触，

所述半导体器件包括器件区和围绕所述器件区的终端区，所述器件区包括中心区域，所述中心区域包括子区域，所述子区域中的肖特基区的器件单元占居率小于在所述子区域之外的器件区中的肖特基区的器件单元占居率。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，沿着肖特基区的长边方向，所述子区域中的每个肖特基区包括两个或更多个子肖特基区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，沿着肖特基区的长边方向，所述两个或更多个子肖特基区的长度均相同。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，沿着肖特基区的长边方向，所述两个或更多个子肖特基区中至少两个子肖特基区的长度不同。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述中心区域还包括另一子区域，所述另一子区域中的肖特基区的器件单元占居率小于在所述另一子区域和所述子区域之外的器件区中的肖特基区的器件单元占居率。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述另一子区域中的肖特基区的器件单元占居率与所述子区域中的肖特基区的器件单元占居率不同。