[实用新型]发光二极管芯片

说明书

本申请提供一种发光二极管芯片，光经过设置有不同折射率的反射结构时，多个第一薄膜与第二薄膜反射回的光因相位角的改变而进行干涉，互相结合在一起，获得强烈反射光。从而反射光从第一表面返回，并通过多个间隔设置的反射结构反射进行光路的改变，使得光从衬底的侧面出光，形成侧向光。通过多个反射结构改变入射角不同的光的出光方向和强度，改变光度角，使得设置有反射结构处的正向光减弱，部分正向光的光路改变形成侧向光，从而减弱正向光，增强侧向光，使得正向光与侧向光强度合理分配，增大发光二极管芯片的光角和发光光圈，从而使应用端的直下式背光板整体发光分布均匀，无亮区和暗区。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)将电能转化为光能，发光黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外不可见光。与白炽等和氖灯相比，LED具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且方便调节发光亮度等优点。

随着LED灯市场爆发的日益临近，LED封装技术的研发竞争也十分激烈。目前，市场上相继推出使用倒装Mini LED的直下式背光的产品，例如全面屏手机、电视屏等等。LED芯片倒装结构可以解决LED芯片正装结构由于电流拥挤衍生的散热问题。但是，传统的倒装LED芯片发光强度主要集中在衬底表面正向出光，而侧向出光较弱，导致正向光与侧向光强度分配不合理，从而导致直下式背光芯片布置完成后整个背光板光强分布不均匀，出现亮点和暗区。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的倒装LED芯片正向光与侧向光强度分配不合理的问题，提供一种正向光与侧向光合理分配，使得应用于背光板整体发光分布均匀无亮点和暗区的发光二极管芯片。

本申请提供一种发光二极管芯片包括衬底以及多个反射结构。所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面依次设置有N型半导体层、发光层与P型半导体层。所述多个反射结构间隔设置于所述第一表面，每个所述反射结构包括至少一个第一薄膜与至少一个第二薄膜，所述第一薄膜与所述第二薄膜交替设置于所述第一表面，所述第一薄膜的折射率与所述第二薄膜的折射率不同。

在一个实施例中，所述第一薄膜和所述第二薄膜依次交替设置于所述第一表面，所述第一薄膜的折射率大于所述第二薄膜的折射率。

在一个实施例中，所述反射结构为分布式布拉格反射层。

在一个实施例中，所述第一薄膜为一氧化钛、二氧化钛、五氧化三钛等钛氧化物或任意组合。

在一个实施例中，所述第二薄膜为二氧化硅、氮化硅或任意组合。

在一个实施例中，所述第一薄膜的厚度为30纳米～80纳米。

在一个实施例中，所述第二薄膜的厚度为15纳米～140纳米。

在一个实施例中，所述反射结构远离所述第一表面的表面形状为方形或圆形。

在一个实施例中，所述发光二极管芯片还包括N型电极、P型电极、分布式布拉格层。所述N型电极设置于所述N型半导体层的N型半导体台面。所述P型电极设置于所述P型半导体层远离所述发光层的表面。所述分布式布拉格层设置于所述N型半导体层远离所述衬底的表面与所述P型半导体层远离所述发光层表面，并将所述N型电极与所述P型电极露出。

在一个实施例中，所述发光二极管芯片还包括N型电极焊盘以及P型电极焊盘。所述N型电极焊盘设置于所述N型电极表面，用以实现电连接。所述P型电极焊盘设置于所述P型电极表面，用以实现电连接。