[实用新型]一种低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构

权利要求书

1.一种低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构，其特征在于，包括电流反馈型二级运算放大器、带隙基准核心电路、启动电路和电流源偏置电路，所述电流反馈型二级运算放大器、带隙基准核心电路和低温漂高稳定性的带隙基准电流源依次连接，所述启动电路和电流源偏置电路分别与低温漂高稳定性的带隙基准电流源连接。

2.根据权利要求1所述的低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构，其特征在于，所述带隙基准核心电路包括PMOS管M13，PMOS管M14，PMOS管M15，PMOS晶体管M16，PNP三极管Q1，PNP三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4；

PMOS管M13的源极与电源相连，栅极与PMOS管M14，M15，M16的栅极相连，漏极与R2的一端相连，PMOS管M14的源极与电源相连，漏极与R1的一端相连，PMOS管M15的源级与电源相连，漏极与R3相连，PMOS管M16的源级和漏极都连接电源，电阻R1的一端与PNP三极管Q2的发射极相连，一端与电阻R2相接，电阻R4的一端与PNP晶体管Q1的发射极相接，一端与地相接，电阻R2和电阻R3的另一端与地相连，PNP三级管Q1和PNP三极管Q2的基极和集电极与地相接。

3.根据权利要求1所述的低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构，其特征在于，所述电流反馈型二级运算放大器包括NMOS管M3，NMOS管M4，NMOS管M5，NMOS管M6，NMOS管M10，NMOS管M11，PMOS管M0，PMOS管M1，PMOS管M2，PMOS管M7，PMOS管M8，PMOS管M9，PMOS管M10，电阻R5；

NMOS管M3的源极与地相接，栅极与NMOS管M4的栅极与漏极相接，NMOS管M4的源极接地，漏极与PMOS管M1的漏极相接，NMOS管M5的源极接地，漏极与NMOS管M6的栅极和PMOS管M2的漏极相接，栅极与NMOS管M6的栅极相接，NMOS管M6的漏极与PMOS管M8的漏极相接，源极与地相接，NMOS管M10的漏极与PMOS管M9 的漏极与栅极相接，栅极与NMOS管M11的栅极与漏极相接，源极与地相接，NMOS管M11的漏极与电阻R5相接，源极与地相接，PMOS管M0的源极接地，栅极与PMOS管M9的栅极相接，漏极与PMOS管M1的源极与PMOS管M2的源极相接，PMOS管M1的栅极外接PIN脚VIN，PMOS管M2的栅极外接PIN脚VIP，PMOS管M7的源极与电源相接，栅极与PMOS管M8的栅极相接，漏极与栅极与PMOS管M8的栅极相接，PMOS管M8的源极与电源相接，PMOS管M9的源极与电源相接，栅极与PMOS管M0的栅极和NMOS管M10的漏极相接，漏极与NMOS管M10的漏极相接。

4.根据权利要求2所述的低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构，其特征在于，所述的启动电路包括PMOS管M17，PMOS管M18，NMOS管M19，NMOS管M20；

PMOS管M17的源极接电源，栅极与PMOS管M18的源极相接，漏极与PMOS管M18的源极相接，PMOS管M18的栅极与NMOS管M19的漏极和NMOS管M20的栅极相接，NMOS管M19的栅极与所述的电阻R3相接，源极与地相接，NMOS管M20的漏极与所述的PMOS管M15的栅极相接，源极与地相接。

5.根据权利要求4所述的低温漂高稳定性的带隙基准电流源结构，其特征在于，所述的电流源偏置电路包括PMOS管M21，PMOS管M22，PMOS管M23，NMOS管M24，NMOS管M25，NMOS管M26,NMOS管M27，NMOS管M28，NMOS管M29，NMOS管M30；

PMOS管M21的栅极与所述的NMOS管M20的漏极相接，源极接电源，漏极接NMOS管M21的漏极和栅极相接，PMOS管M22的源级与电源相接，栅极与PMOS管M21的栅极相接，漏极与NMOS管M25的漏极相接，PMOS管M23的源极和漏极与电源相接，栅极与PMOS管M22的栅极相接，NMOS管M24的栅极和漏极与NMOS管M25的栅极相接，源极接地，NMOS管M25的栅极与NMOS管M26的栅极相接，源级和NMOS管M27的漏极相接，NMOS管M26的漏极引出电流源PIN脚，源极与NMOS管M28的漏极相接，NMOS 管M27的栅极与NMOS管M28的栅极相接，源极与地相接，NMOS管M28的栅极与NMOS管M30的栅极相接，源极接地，NMOS管M29的栅极与NMOS管M226的栅极相接，漏极接地，源极与NMOS管M30的漏极相接，NMOS管M30的源极接地。