[实用新型]半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具有效

专利信息
申请号: 201920540842.4 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN209774298U 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 陈智慧;朱光宇;张正伟;李泓波;贺贤汉 申请(专利权)人: 富乐德科技发展(大连)有限公司
主分类号: B24B27/033 分类号: B24B27/033;B24B41/06;B24B47/12;B24B55/02
代理公司: 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 代理人: 盖小静
地址: 116600 辽宁省大连市保税区*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 定位圈 底盘 外保护圈 打磨 化学气相沉积装置 本实用新型 底部凹槽 治具本体 部品 洗净 半导体设备 表面光洁度 同一水平面 圆环状结构 圆盘状结构 金属锻件 卡接凸台 生产作业 插接孔 卡接孔 上端面 底面 内壁 统一
【权利要求书】:

1.一种半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,包括治具本体,所述治具本体包括相连接的外保护圈(1)、内定位圈(2)、底部凹槽(3)和底盘(4),所述外保护圈(1)和内定位圈(2)均为具有厚度的圆环状结构,所述底盘(4)为一圆盘状结构,所述外保护圈(1)、内定位圈(2)、底盘(4)的底面为同一水平面;所述内定位圈(2)连接于外保护圈(1)内壁,所述底部凹槽(3)连接于内定位圈(2)和底盘(4)之间;所述内定位圈(2)的上端面开设有多个部品卡接孔(6),所述底盘(4)上开设有多个部品插接孔(7),底盘(4)的中部设有卡接凸台(8)。

2.根据权利要求1所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,所述外保护圈(1)、内定位圈(2)、底部凹槽(3)和底盘(4)上的同一位置分别开设有一凹槽,所述的凹槽均处于同一底平面并相通,形成取出槽(5)。

3.根据权利要求1所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,所述外保护圈(1)的上端面高于内定位圈(2)的上端面,所述内定位圈(2)的上端面高于底盘(4)的上表面,所述底盘(4)的上表面高于底部凹槽(3)的底平面;所述内定位圈(2)的上端面连接有防撞圈。

4.根据权利要求1所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,所述底盘(4)上开设有多个用于与旋转打磨平台固定连的固定孔(9),所述固定孔(9)贯穿于底盘(4)。

5.根据权利要求1所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,所述部品插接孔(7)贯穿于底盘(4)且位于底盘(4)的边缘处。

6.根据权利要求4所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,每个固定孔(9)内均螺纹连接有固定螺栓(10)。

7.根据权利要求1所述的半导体设备化学气相沉积装置金属锻件洗净旋转打磨治具,其特征在于,所述治具本体的材质为聚四氟乙烯。

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