[实用新型]一种新型碳化硅晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种新型碳化硅晶体生长装置，包括炉体；所述炉体上侧安装有上盖，所述上盖中间位置设置有通孔，所述上盖上侧设置有籽晶杆，且籽晶杆底端穿过通孔伸入炉体内部，所述炉体外侧设置有外壳，所述外壳外侧安装有陶瓷外壳，所述炉体内部安装有加热板，所述加热板设置为石墨烯板，所述加热板通过固定栓固定在外壳内部，所述加热板与控制开关电性连接，所述控制开关安装在陶瓷外壳外侧，所述炉体内部低端安装有隔板，所述隔板底端安装有热保护器，且热保护器的探头穿过隔板伸入炉体内部，热保护器与加热板以串联的方式将进行连接。该实用新型在加工过程中，通过热保护器维持炉内的温度稳定，方便快捷，并且灵敏度较高。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅晶体生产设备技术领域，具体为一种新型碳化硅晶体生长装置。

背景技术

在晶体生长技术中，晶体的生长都是在晶体炉内生长，晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等，故专利号为CN201720786631.X的中国专利设计了一种碳化硅晶体生长装置，但是该实用新型在使用过程中仍然存在不足之处，该装置对温度的控制方式价位复杂，且容易产生误差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型碳化硅晶体生长装置，以解决上述背景技术中提出的的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型碳化硅晶体生长装置，包括炉体；所述炉体上侧安装有上盖，且上盖扣在炉体上侧，所述上盖中间位置设置有通孔，且通孔为圆台型设置，所述通孔贯穿上盖，所述上盖上侧设置有籽晶杆，且籽晶杆底端穿过通孔伸入炉体内部，所述籽晶杆外侧套有限位块和固定套，且固定套位于限位块上侧，所述固定套底端内部和限位块上端外侧均设置有螺纹，所述固定套与限位块之间通过螺纹旋转连接，所述炉体外侧设置有外壳，所述外壳外侧安装有陶瓷外壳，所述陶瓷外壳通过螺栓固定安装在外壳外侧，所述炉体内部安装有加热板，所述加热板设置为石墨烯板，所述加热板通过固定栓固定在外壳内部，所述加热板与控制开关电性连接，所述控制开关安装在陶瓷外壳外侧，所述炉体内部低端安装有隔板，所述隔板底端安装有热保护器，且热保护器的探头穿过隔板伸入炉体内部，热保护器与加热板以串联的方式将进行连接。

优选的，所述限位块为圆台型设置，所述限位块嵌入通孔内部。

优选的，所述外壳和陶瓷外壳之间设置有隔温层，且隔温层设置为真空保温层。

优选的，所述外壳内部设置有锡箔层，且锡箔层附着在外壳内部。

优选的，所述限位块与籽晶杆之间设置有弹垫，且弹垫一侧与限位块之间通过粘合胶相互粘贴。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该实用新型在加工过程中，通过热保护器维持炉内的温度稳定，热保护器是两片不同的合金组合在一起，由于两种不同的合金热膨胀系数不同，温度较高时，合金势必向一个方向弯曲，触点离开，就断了电，当温度降低时又会相互触碰进行通电，便于维持炉体内部的温度稳定，限位块圆台型设置能够增加与通孔的接触面积，避免大量的热量通过限位块与通孔的衔接处泄露出去，隔温层所使用的真空保温层，内部设置有真空隔层，具有较好的隔温、保温的效果，一方面避免温度泄露，以方便避免烫伤工作人员，锡箔层具有反射热量的效果，用于加快炉体内部的温度升高，通过固定套固定限位块时，限位块上端将会向内收缩，弹垫受到压力将会变形，对限位块与籽晶杆之间的空隙进行填充，使得限位块固定的更加的稳定。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的外壳切面结构示意图；

图3为本实用新型的电路原理图。

图中：1、炉体；2、加热板；3、上盖；4、籽晶杆；5、弹垫；6、固定套；7、限位块；8、通孔；9、控制开关；10、隔板；11、热保护器；12、隔温层；13、外壳；14、陶瓷外壳；15、固定栓；16、锡箔层。