[实用新型]一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件

权利要求书

1.一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：带空腔的绝缘体硅基片和设置于所述绝缘体硅基片中的所述空腔中的压电三明治结构，所述压电三明治结构包括顶电极、压电薄膜层和底电极，所述顶电极、压电薄膜层和底电极依次堆叠，所述压电三明治结构与所述绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔，所述空腔内设置有多个缓冲支撑结构，所述缓冲支撑结构用于缓冲并支撑所述压电三明治结构，所述缓冲支撑结构包括依次连接的缓冲层、支撑层与连接层。

2.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲层与所述压电三明治结构中的所述底电极相接触，所述连接层与所述空腔的内侧底面相接触。

3.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲支撑结构的宽度小于所述压电三明治的宽度，所述缓冲支撑结构的高度小于所述压电三明治的高度。

4.根据权利要求3所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构的宽度小于所述空腔的宽度，所述压电三明治结构的高度与所述缓冲支撑结构的高度之和等于所述空腔的高度。

5.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲支撑结构的形状为梯形或者矩形，所述连接层的宽度大于所述缓冲层的宽度。

6.根据权利要求5所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲层的形状为波纹形状或矩形。

7.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲层包括聚酰亚胺，所述支撑层包括硅或二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述键合层包括金属键合层。

9.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述顶电极和/或所述底电极的厚度介于100-2000nm。

10.一种通信器件，包括权利要求1-9任一项所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器。