[实用新型]一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模板有效

专利信息
申请号: 201920373650.9 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN209591989U 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 宋岩 申请(专利权)人: 大连泰一半导体设备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 116600 辽宁省大连市经*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
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【说明书】:

一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模板,模盒安装于模盒前置挡块与模盒侧置挡块围成的区域内,模盒前置挡块上设置模盒前置定位槽,模盒前置定位槽与模盒的模盒前置定位块对接,模盒侧置挡块上设置模盒侧置定位块,模盒侧置定位块与模盒的模盒侧置定位槽对接;模盒顶料针板拉块固定板安装模盒顶料针板拉块,模盒顶料针板与模盒顶料针板拉块连接。本实用新型可将多个可生产高功率电晶体半导体元器件的模盒组装固定,除了提升一次封装的密度之外,更有助于实现封装技术模组化的发展要求,提高了单次生产产量,达到了生产的高精、高速、高质目的;有效地解决了新型的高功率电晶体切换式电源半导体元器件产品小型化、封装制程模组化的问题。

技术领域

本实用新型涉及高功率电晶体切换式电源半导体封装技术领域。

背景技术

现今切换式电源供应器(SMPS)的发展驱势,除了要求效率之外,如何提高密度以及降低产品不良率已成为业界着重的目标。所以产品小型化、封装制程模组化,高功率电晶体的发展以及新式封装在现行高效率架构应用中有很大优势。

传统上功率电晶体的发展,以持续不断地降低导通电阻(RDS(on))及提升切换速度,从而有效地减少导通损耗及切换损耗考量,来自封装的导通电阻占整体导通电阻值比例较低及相对较低切换频率的缘故,相较于低压功率电晶体而言,高压功率电晶体的封装技术发展积极度较低。然而在目前SMPS的高功率密度及高效率要求下,新式功率电晶体不仅必须提升晶粒的效能,新式封装的导入更能够使SMPS实现高效率及高功率密度的目标。

发明内容

为解决目前要求高效率、高功率密度以及降低产品不良率电源产品设计的需求,本实用新型提供了一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模板。

本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:一种高功率电晶体切换式电源半导体封装模板,包括模盒固定板和模盒顶料针板拉块固定板,模盒固定板上安装模盒前置挡块与模盒侧置挡块,模盒安装于模盒前置挡块与模盒侧置挡块围成的区域内,模盒前置挡块上设置模盒前置定位槽,模盒前置定位槽与模盒的模盒前置定位块对接,模盒侧置挡块上设置模盒侧置定位块,模盒侧置定位块与模盒的模盒侧置定位槽对接;模盒顶料针板拉块固定板安装模盒顶料针板拉块,模盒固定板上设有上下贯穿的槽,模盒侧置挡块边缘处设有模盒顶料针板拉块定位槽,模盒固定板的槽与模盒顶料针板拉块定位槽与模盒顶料针板拉块配合安装,模盒顶料针板边缘与模盒顶料针板拉块卡槽连接。

所述模盒固定板四周边缘中心处安装用于与另一块模盒固定板相连接固定的模盒固定板定位块。

所述模盒固定板上安装至少两个模盒前置挡块与至少两个模盒侧置挡块,模盒前置挡块7和模盒侧置挡块组合后形成区域安装模盒。

本实用新型的高功率电晶体切换式电源半导体封装模板,可将多个可生产高功率电晶体半导体元器件的模盒组装固定,除了提升一次封装的密度之外,更有助于实现封装技术模组化的发展要求,提高了单次生产产量,达到了生产的高精、高速、高质目的;有效地解决了新型的高功率电晶体切换式电源半导体元器件产品小型化、封装制程模组化的问题。

附图说明

图1为本实用新型高功率电晶体切换式电源半导体封装模板整体结构图。

图2为高功率电晶体切换式电源半导体封装模盒的结构图。

图3为高功率电晶体切换式电源半导体封装模板的模盒顶料针板拉块固定板结构图。

图4为高功率电晶体切换式电源半导体封装模板的模盒侧置挡块结构图。

图5为高功率电晶体切换式电源半导体封装模板的模盒前置挡块结构图。

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