[实用新型]晶粒功能检测装置有效
| 申请号: | 201920047687.2 | 申请日: | 2019-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN209266356U | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
| 发明(设计)人: | 李俊豪 | 申请(专利权)人: | 李俊豪 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;李岩 |
| 地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶粒 检测板 导通部 功能检测装置 电路本体 馈电部 贯孔 晶圆 电力传送 电性连接 电源供应 电源输入 检测装置 显露 检测 | ||
1.一种晶粒功能检测装置,用以检测一晶圆上的多个晶粒,各该晶粒包括一电路本体以及与该电路本体电性连接的一馈电部,该检测装置包括:
一检测板,叠置于该晶圆上,该检测板具有多个贯孔,以经由该些贯孔分别显露该些晶粒;以及
一导通部,设置于该检测板上而接触该些馈电部,该导通部接收一电源的输入,而将该电源供应的电力传送至该些晶粒。
2.如权利要求1所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,该导通部包括多组电极导通区域及一组电源供应线路,该组电源供应线路位于该检测板远离于该晶圆的一侧并接收该电源输入,该些组电极导通区域电性连接该组电源供应线路且位于该检测板的相邻于该晶圆的一侧,各该组电极导通区域一对一接触各该晶粒的该馈电部。
3.如权利要求2所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,该组电源供应线路以指叉状分布,该些贯孔排列为多行并交错排列于该指叉状分布的多个指间区域中。
4.如权利要求2所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,该组电源供应线路为激光蚀刻线路。
5.如权利要求2所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,各该组电极导通区域包含一正极导通区域与一负极导通区域,该正极导通区域与该负极导通区域分别设置于该贯孔的二侧。
6.如权利要求2所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,各该组电极导通区域包含一正极导通区域与一负极导通区域,该正极导通区域与该负极导通区域设置于该贯孔的同一侧。
7.如权利要求5或6所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,该正极导通区域及该负极导通区域为异方向性导电胶膜或电镀层。
8.如权利要求1所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,该些晶粒为多个发光元件、多个微流体电子元件或多个微机电电子元件。
9.如权利要求1所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,更包含一光学检测单元,通过该些贯孔撷取包含该些晶粒的一影像,以根据该影像判断该些晶粒的功能。
10.如权利要求9所述的晶粒功能检测装置,其特征在于,更包含一激光设备,输出一激光至功能非为正常的一异常晶粒,以标记该异常晶粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





